[发明专利]薄膜晶体管基板与其所组成的显示装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种基板，且特别是有关于一种薄膜晶体管基板与其所组成的显示装置。

背景技术

液晶显示器(liquid crystal display)由于具有轻、低消耗功率、无辐射等优点，目前已应用于各种个人电脑、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、手机、电视等。

液晶显示器主要由薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)基板、彩色滤光片(color filter，CF)基板与形成于两基板之间的液晶层所组成。依照液晶显示器电极的位置摆放差异，又可分成扭转向列型模式(twisted nematic，TN)或横向电场效应模式(in-plane switching，IPS)。

请参见图1，此图为已知横向电场效应模式(in-plane switching，IPS)薄膜晶体管基板的俯视图，薄膜晶体管基板单一像素区100由栅极线(亦可称为扫描线)102、共同线104与垂直于栅极线102的数据线106所组成，其中薄膜晶体管108位于栅极线102之上，像素电极110与共同电极112设计在同一基板(未显示)之上，且因为像素电极110与共同电极112由透明导电材料所组成(像素电极110与共同电极112位于不同的两层，两者电性不导通)，因此两者所在区域(虚线区域)为透光区114。

已知技术为了降低反馈通道效应(feed-through effect)，将位于漏极150上的漏极接触孔(drain via)185形成于栅极线102与数据线106所定义的区域中(即可透光的区域)，然而漏极150由不透光材料组成，因此降低了液晶显示器的可视区114面积。

此外，随着液晶显示器解析度日益提高的同时，漏极接触孔(drain via)185若依然设计于可透光的区域中，会使开口率(Aperture ratio，AR)降低，因此，业界亟需提出一种新的薄膜晶体管基板，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括：一基板；一栅极线(gate line)、一栅极绝缘层、一有源层依序形成于基板上；一源极、一漏极同时形成于有源层上，以构成一薄膜晶体管；一绝缘层，形成于薄膜晶体管之上，其该绝缘层中具有一接触孔(via)，且接触孔形成于部分漏极与部分有源层之上，以暴露部分漏极与部分有源层；以及一像素电极，形成于接触孔中与绝缘层之上，其中像素电极透过接触孔电性连接至该漏极。

本发明另提供一种薄膜晶体管基板，包括：一基板；一栅极线(gate line)、一栅极绝缘层、一有源层依序形成于基板上；一源极、一漏极形成于有源层上，以构成一薄膜晶体管；一绝缘层，形成于薄膜晶体管之上，其中绝缘层中具有一接触孔(via)，且接触孔完全地(totally)形成于栅极线之上，以暴露部分漏极；以及一像素电极形成于接触孔中与绝缘层之上，其中像素电极透过接触孔电性连接至漏极。

本发明亦提供一种显示装置，包括：一薄膜晶体管基板，其包括本发明实施例一～实施例六所述的薄膜晶体管基板；一彩色滤光片基板，其中彩色滤光片基板与薄膜晶体管基板相对设置；一液晶层，形成于薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板之间；以及一背光模块，形成于薄膜晶体管基板的远离液晶层的一侧。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1为一俯视图，用以说明已知的薄膜晶体管基板的结构。

图2A～2B为一俯视图与剖面图，用以说明本发明第一实施例的薄膜晶体管基板结构。

图3A-3E为一系列剖面图，用以说明本发明第一实施例的制法。

图4A-4B为一俯视图与剖面图，用以说明本发明第二实施例的薄膜晶体管基板结构。

图5A-5B一俯视图与剖面图，用以说明本发明第三实施例的薄膜晶体管基板结构。

图6A-6B为一俯视图与剖面图，用以说明本发明第四实施例的薄膜晶体管基板结构。

图7A-7B为一俯视图与剖面图，用以说明本发明第五实施例的薄膜晶体管基板结构。

图8A-8B为一俯视图与剖面图，用以说明本发明第六实施例的薄膜晶体管基板结构。

图9为一剖面图，用以说明本发明的显示装置。

主要元件符号说明：

30a～薄膜晶体管区

30b～储存电容区

100～薄膜晶体管基板单一像素区

102～栅极线