[发明专利]金属互连线的制造方法有效
| 申请号： | 201110247538.9 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102956544A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄晓辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 制造 方法 | ||
1.一种金属互连线的制造方法，用于金属栅极工艺，包括：
提供半导体衬底，其上形成有虚设栅极；
在所述半导体衬底上依次覆盖应力层和第一层间介质层；
进行第一次化学机械研磨，直至暴露所述虚设栅极；
去除所述虚设栅极，形成金属栅极，所述金属栅极上形成有金属氧化层；
在所述第一层间介质层和所述金属氧化层上覆盖第二层间介质层；
刻蚀所述第二层间介质层和第一层间介质层形成开口，所述开口中暴露所述金属氧化层和应力层；
去除所述开口中暴露的金属氧化层和应力层；
在所述开口中形成金属互连线。
2.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述第二层间介质层包括氧化层以及覆盖所述氧化层的保护层。
3.如权利要求2所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述保护层的材质为氮化硅，碳氮化硅、氮化钛、氮化钽、单质钛或单质钽中的一种或其组合。
4.如权利要求2所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为100埃～300埃。
5.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，在形成所述开口的步骤中，包括：
在所述第二层间介质层表面形成图案化的抗刻蚀层；
以抗刻蚀层为掩膜，刻蚀所述第二层间介质层和第一层间介质层；
去除所述抗刻蚀层。
6.如权利要求5所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述抗刻蚀层包括底部抗反射涂层和位于所述底部抗反射层上的光刻胶层。
7.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，在所述开口中形成金属互连线的步骤，包括：
在所述开口中覆盖金属粘着层；
在所述金属粘着层上覆盖金属互连线层，所述金属互连线层填充所述开口；
进行第二次化学机械研磨，直至暴露所述第二层间介质层。
8.如权利要求1～7中任意一项所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述应力层的厚度为100埃～300埃。
9.如权利要求1～7中任意一项所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，利用氩等离子体溅射去除所述开口中暴露的金属氧化层和应力层。
10.如权利要求1～7中任意一项所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述金属栅极两侧的半导体衬底中形成有金属硅化物区。
11.如权利要求10所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物区的材质为镍硅化物、钴硅化物、钨硅化物、钛硅化物以及钽硅化物中的一种或其组合。
12.如权利要求1～7中任意一项所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述金属栅极的材质为铝或铝钛化合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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