[发明专利]一种液晶显示屏及其制造方法与显示器有效
申请号: | 201110249288.2 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN102650763A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 邓检;李晓坤;王凯旋 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1339;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示屏 及其 制造 方法 显示器 | ||
1.一种液晶显示屏,包括彩膜基板、设置于彩膜基板上的隔垫物以及阵列基板,其特征在于:
所述隔垫物上的液晶取向膜层内分布有第一透明导电体,该第一透明导电体与液晶取向膜层形成为单向导电膜,以及所述阵列基板显示区公共电极上的液晶取向膜层内分布有第二透明导电体;
由所述第一透明导电体和所述第二透明导电体接触,导通所述彩膜基板上的公共电极和所述阵列基板显示区上的公共电极。
2.如权利要求1所述的液晶显示屏,其特征在于:所述第一透明导电体和所述第二透明导电体为颗粒状的铟锡氧化物ITO。
3.如权利要求2所述的液晶显示屏,其特征在于:所述颗粒状具体为球状。
4.如权利要求1所述的液晶显示屏,其特征在于:所述阵列基板显示区公共电极上的钝化层上设置有钝化层过孔,所述钝化层过孔上形成有过孔ITO,所述过孔ITO上设有液晶取向膜层,在所述过孔ITO上的液晶取向膜层内分布有所述第二透明导电体。
5.一种显示器,其特征在于:其中包括权利要求1-4任一权利要求所述的液晶显示屏。
6.一种液晶显示屏的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
形成彩膜基板,将公共电极设置于隔垫物PS上,所述隔垫物上的液晶取向膜层内分布有第一透明导电体;
形成阵列基板,所述阵列基板显示区公共电极上的液晶取向膜层内分布有第二透明导电体;
将所述彩膜基板和所述阵列基板对盒形成液晶显示屏,由所述第一透明导电体和所述第二透明导电体接触,导通所述彩膜基板上的公共电极和所述阵列基板显示区上的公共电极。
7.如权利要求6所述的液晶显示屏的制造方法,其特征在于:所述形成彩膜基板的步骤具体包括:
在彩膜基板上形成黑矩阵;
在彩膜基板上形成彩膜;
在形成所述黑矩阵的基板上形成隔垫物;
在形成所述隔垫物的基板上形成彩膜公共电极,所述彩膜公共电极上设有液晶取向膜;
所述彩膜公共电极上的液晶取向膜内分布有第一透明导电体。
8.如权利要求6所述的液晶显示屏的制造方法,其特征在于:所述形成阵列基板的步骤包括:
在阵列基板上形成公共电极、栅线和栅极;
在阵列基板上形成有源层、数据线、源电极和漏电极,在所述源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形;
在阵列基板上对应所述显示区公共电极的位置上形成钝化层过孔,在所述钝化层过孔上形成过孔ITO,并在所述过孔ITO上涂覆液晶取向膜层,所述阵列基板显示区公共电极上的液晶取向膜层内分布有第二透明导电体。
9.如权利要求6所述的液晶显示屏的制造方法,其特征在于,所述第一透明导电体与所述第二透明导电体为颗粒状铟锡氧化物ITO。
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