[发明专利]鳍状晶体管与其制作方法

权利要求书

1.一种形成鳍状晶体管的方法，包括：

提供基底；

于该基底上形成掩模层；

于该掩模层以及该基底中形成第一沟槽；

于该第一沟槽中形成半导体层；

移除该掩模层，使得该半导体层形成鳍状结构嵌入在该基底中且突出于该基底上；以及

形成栅极覆盖在该鳍状结构上。

2.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，还包括形成浅沟槽隔离以定义有源区。

3.如权利要求2所述的形成鳍状晶体管的方法，其中先形成该浅沟槽隔离，再移除该掩模层。

4.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，其中形成该半导体层的方法包括选择性外延生长工艺。

5.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，其中形成该半导体层的方法包括循环退火工艺。

6.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，还包括在该基底以及该掩模层之间形成物质层。

7.如权利要求6所述的形成鳍状晶体管的方法，其中该物质层包括二氧化硅。

8.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，其中该半导体层包括硅层、锗层、硅锗层或上述的组合。

9.一种形成鳍状晶体管的方法，包括：

提供基底；

于该基底上形成掩模层；

于该掩模层以及该基底中形成第一沟槽；

于该第一沟槽中形成半导体层；

形成浅沟槽隔离以定义有源区，其中该半导体层设置于该有源区中；

形成该浅沟槽隔离后，移除该掩模层，使得该半导体层形成鳍状结构嵌入在该基底中且突出于该基底上；

形成栅极于该鳍状结构上。

10.如权利要求9所述的形成鳍状晶体管的方法，其中形成该半导体层的方法包括选择性外延生长工艺。

11.如权利要求9所述的形成鳍状晶体管的方法，其中形成该半导体层的方法包括循环退火工艺。

12.如权利要求9所述的形成鳍状晶体管的方法，还包括在该基底以及该掩模层之间形成物质层。

13.如权利要求12所述的形成鳍状晶体管的方法，其中该物质层包括二氧化硅。

14.如权利要求9所述的形成鳍状晶体管的方法，其中该半导体层包括硅层、锗层、硅锗层或上述的组合。

15.一种鳍状晶体管，包括：

基底；

鳍状结构，嵌入在该基底中，该鳍状结构突出于该基底上；

栅极介电层，覆盖在该鳍状结构的表面；以及

栅极，覆盖在该栅极介电层上。

16.如权利要求15所述的鳍状晶体管，其中该鳍状结构包括硅层、锗层、硅锗层或上述的组合。

17.如权利要求15所述的鳍状晶体管，其中该鳍状结构具有朝向基底渐缩的结构。

18.如权利要求15所述的鳍状晶体管，还包括硅应力层，该应力层设置于该鳍状结构与该栅极介电层之间。

19.如权利要求15所述的鳍状晶体管，其中该鳍状结构包括伸张硅锗层，且该鳍状晶体管还包括第二硅锗层设置于该鳍状结构与该栅极介电层之间，且该第二硅锗层中锗的含量大于该鳍状结构中锗的含量。

20.如权利要求15所述的鳍状晶体管，其中该鳍状结构包括伸张硅锗层，且该鳍状晶体管还包括硅应力层设置于该鳍状结构的侧壁。