[发明专利]一种基于栅致漏极泄漏效应的1T-DRAM的制备方法

权利要求书

1.一种基于栅致漏极泄漏效应的1T-DRAM的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

步骤一：在N型MOS晶体管制备区域由下至上依次覆盖一层高介电层和一层金属氧化物介电材料层；所述高介电层、金属氧化物介电材料层均形成在栅极槽中； 

步骤二：向所述栅极槽内，金属氧化物介电材料层靠近漏极端注入拥有小功函数的离子，从而降低所述栅极靠近漏极端的功函数，致使栅极下的沟道区域中的靠近漏极端的部分区域在不加栅压的情况下反型为N型，增大晶体管的栅致漏极泄漏效应；

步骤三：向所述栅极槽中填充金属或多晶硅材料，以及在晶体管的栅极、源极、漏极上完成互联金属层制作，从而完成栅极制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述高介电层下方还包括一层薄氧化层。

3.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述的拥有小功函数的离子为以Li、Mg、Ca、Sc、Mn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、In、Cs、Ba、La、Nd、Pr、Pm、Gd、Dy、Ho、Tb、Yb、Tm、Er、Lu、Hf、Ta、Pb、Fr、Ra、Ac或Th元素为基的离子。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的离子注入方法采用倾斜注入法，将离子由所述栅极槽开口处倾斜注入到金属氧化物介电材料层靠近漏极的端。

5.一种基于栅致漏极泄漏效应的1T-DRAM的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

步骤一：在N型MOS晶体管制备区域覆盖一层薄氧化层；且所述薄氧化层形成在栅极槽底部；

步骤二：向所述栅极沟道区域靠近漏极端的部分区域注入As或是P离子；

步骤三：快速退火，以激活注入在所沟道中的As或P离子，致使栅极下的沟道区域中的靠近漏极端的部分区域在不加栅压的情况下反型为N型，增大晶体管的栅致漏极泄漏效应；

步骤四：向所述栅极槽内的薄氧化层上，由下至上依次覆盖一层高介电层和金属氧化物介电材料层；

步骤五：向所述栅极槽中填充金属或多晶硅材料，以及在晶体管的栅极、源极、漏极上完成互联金属层制作，从而完成栅极制备。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的离子注入方法采用倾斜注入法，将离子由所述栅极槽开口处倾斜注入到栅极下方靠近漏极端的栅极沟道中。