[发明专利]一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法

权利要求书

1.一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在第一、第二半导体器件所包含的第一、第二栅极结构及衬底上，淀积第一氮化物层；

步骤S2：在He或Ar环境中采用紫外光对第一氮化物层进行照射处理后，采用光刻、刻蚀工艺，去除第二半导体器件上的第一氮化物层；

步骤S3：在第二半导体器件所在的衬底及第二栅极结构上，依次淀积第二氮化物层，其中，所述第二氮化物层同时还覆盖剩余的第一氮化物层；

步骤S4：在反应腔室内通入He或Ar气体，在紫外光环境下对第二氮化物层进行照射处理后，采用光刻、刻蚀工艺，去除剩余的第一氮化物层上的第二氮化物层。

2.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，所述第一半导体器件为NMOS器件，所述第二半导体器件为PMOS器件。

3.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，所述第一栅极结构为NMOS栅极结构，所述第二栅极结构为PMOS栅极结构。

4.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，所述第一、第二栅极结构均包括有栅氧化层、栅极、侧墙和薄氧化层，所述栅氧化层设置在栅极和衬底之间，所述侧墙覆盖所示栅极的侧壁及邻近该栅极的衬底上，薄氧化层覆盖在栅极的上表面及暴露出的衬底上表面。

5.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，第一氮化物层为高拉应力氮化物层，第二氮化物层为高压应力氮化物层。

6.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，所述第一氮化物层和所述第二氮化物层的制备顺序可以互换。

7.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，在紫外光环境下对第二氮化物层进行照射处理时，其环境温度为300-500℃。

8.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，在紫外光环境下对第二氮化物层进行照射处理时，其环境气压为2-8torr。

9.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，在紫外光环境下对第二氮化物层进行照射处理的时间为10-300s。

10.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，在反应腔室内通入He或Ar气体的气体流量为10000-20000sccm。

11.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，通入He或Ar气体的喷头与第一、二氮化物层的间距为0.1-0.5inch。

12.如权利要求1所述的预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，其特征在于，第一、二氮化物薄膜的材质为氮化硅。