[发明专利]一种溅射阳极罩及溅射装置

说明书

技术领域

本发明涉及等离子平板制造工艺领域，更具体地说，涉及一种溅射阳极罩及溅射装置。

背景技术

等离子平板ITO、BUS电极制作时所采用的工艺为溅镀工艺，所述溅镀通常指的是磁控溅镀，属于高速低温溅镀法。该工艺的具体过程为在真空状态充入惰性气体，并在塑胶基材(阳极)和金属靶材(阴极)之间加上高压直流电，由于辉光放电(glow discharge)产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，并沉积在塑胶基材上。

在等离子平板ITO、BUS电极制作过程中，ITO、BUS电极的制作采用磁控溅射工艺，而磁控溅射工艺中，影响溅射膜厚均匀性的主要因素大致为这几种：真空室成膜压力、磁场均匀性、气体分布和压力以及基板的温度等。这四种因素的任何一个工艺参数的变动，都对膜层均匀性产生很大影响，特别是靶材宽度方向上的磁场变化较大，影响尤为严重。在溅镀时磁场较强区域，一般电子束缚较多，因此溅射出膜厚也相对较厚；磁场较弱区域，一般电子束缚较少，溅射出膜厚也相对较薄。由于上述因素的影响使得基板膜厚不均匀，由此造成：1)在刻蚀工序，刻蚀参数一般是设定不变的，不能兼顾到超出范围的膜厚，这样使得刻蚀出的BUS电极过刻蚀和未完全刻蚀，容易出现电极薄膜残留，影响屏的质量。2)由于BUS电极薄膜较厚(5.5μm左右)，膜厚差别较大时，刻蚀后电极线条的电阻会差别较大，影响屏的点灯状态。在电极薄膜溅射过程中，矩形平面磁控溅射靶的两个端部是溅射和膜厚分布不均匀问题最严重的部位。其原因是端部磁场不均匀并与中部存在着差异。

因此，如何研究出一种提高基板均匀性的溅射阳极罩及溅射装置，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明一方面提供一种溅射阳极罩，以提高等离子平板ITO、BUS电极制作时基板的均匀性；本发明另一方面提供一种具有上述溅射阳极罩的溅射装置。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一个目的在于提供一种溅射阳极罩，该溅射阳极罩设置在真空腔体内部，包括：

阳极罩外壳，该阳极罩外壳具有溅射孔和与该溅射孔垂直的轨道腔；

挡板，该挡板设置在所述轨道腔内，并可沿所述垂直所述溅射孔的方向移动；及

驱动机构，所述驱动机构设置在所述溅射孔底部，且与所述挡板的底面相配合。

优选的，在上述溅射阳极罩中，所述挡板与所述溅射孔相对应的表面为波纹状结构。

优选的，在上述溅射阳极罩中，所述挡板与所述溅射孔相对应的表面为锯齿状结构。

优选的，在上述溅射阳极罩中，所述挡板的数量为两个，分别为第一挡板和第二档板。

优选的，在上述溅射阳极罩中，所述驱动机构包括安装底座、主动轴、从动轴和传送带，其中，所述安装底座设置在所述溅射孔的底部，所述主动轴和从动轴通过轴承并排设置在所述安装底座上，所述传送带设置在所述主动轴和从动轴上，且与两者相配合。

优选的，在上述溅射阳极罩中，所述驱动机构有两个，分别与所述第一档板和所述第二档板相对应。

优选的，在上述溅射阳极罩中，所述从动轴的数量为多个。

本发明中的溅射阳极罩包括阳极罩外壳，该阳极罩外壳具有溅射孔和与该溅射孔垂直的轨道腔；挡板，该挡板设置在所述轨道腔内，并可沿所述垂直所述溅射孔的方向移动；及驱动机构，所述驱动机构设置在所述溅射孔底部，且与所述挡板的底面相配合。当采用溅射工艺加工ITO、BUS的电极时，将基板设置在真空腔体内部，且位于挡板的正前方。溅射过程中在驱动装置的驱动作用下推动挡板运动从而控制溅射孔的大小，从而改变了基板溅射的开口面积，达到控制基板的溅射面积、改变金属原子沉积角度的作用，从而可以应对真空腔体内随时可能出现的影响膜厚不均匀的现象，使得沉积膜厚更趋稳定。

本发明的第二个目的在于提供一种溅射装置，包括真空腔体，还包括具有上述结构的溅射阳极罩，所述溅射阳极罩设置在所述真空腔体内部。

优选的，在上述溅射装置中，所述主动轴伸出至所述真空腔体的外壳的一端设置有摇动手柄。

优选的，在上述溅射装置中，所述主动轴与所述真空腔体的外壳相接触处设置有磁流体密封装置。