[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括布线层和设置在所述布线层上的半导体发光元件；

所述半导体发光元件进一步包括：

半导体发光层，其包括自所述布线层侧按顺序排列的第一半导体层、活性层和第二半导体层，

透明导电层，其设置在所述半导体发光层的布线层侧，

金属反射层，其设置在所述透明导电层的布线层侧，

透明绝缘膜，其设置在所述金属反射层的布线层侧，并覆盖所述金属反射层，以及

第一电极部和第二电极部，所述第一电极部和第二电极部设置于所述透明绝缘膜的布线层侧，并与所述布线层电连接，在所述第一电极部和第二电极部之间插入有隔离区；

其中，所述第一电极部通过所述透明导电层和被设置为贯穿所述透明绝缘膜的第一接触部与所述第一半导体层电连接，并且所述第二电极部通过第二接触部与所述第二半导体层电连接，所述第二接触部被设置为贯穿所述透明绝缘膜，并被设置为贯穿所述透明导电层、第一半导体层和活性层，并与它们绝缘。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极部和第二电极部通过平面结合与所述布线层结合。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极部和第二电极部具有Au基结合层，并通过所述结合层与所述Au基布线层结合。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，形成所述半导体发光层的所述第一半导体层、活性层和第二半导体层分别由氮化物半导体制成，并且所述金属反射层由Ag制成。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，在所述布线层上设置多个半导体发光元件。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，在所述半导体发光元件的布线层的对侧形成经粗糙化加工的光提取表面。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，在所述光提取表面上形成透光性的导电膜。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，在绝缘衬底上设置所述布线层，在所述绝缘衬底上设置两个以上通孔，在所述通孔中设置金属材料，由此形成与所述布线层电连接的衬底接触部。

9.一种发光二极管，其包括布线层和设置在所述布线层上的半导体发光元件；

所述半导体发光元件进一步包括：

半导体发光层，其包括自所述布线层侧按顺序排列的第一半导体层、活性层和第二半导体层，

透明导电层，其设置在所述半导体发光层的布线层侧，

透明绝缘膜，其设置在所述透明导电层的布线层侧，以及

第一电极部和第二电极部，所述第一电极部和第二电极部设置于所述透明绝缘膜的布线层侧，并与所述布线层电连接，在所述第一电极部和第二电极部之间插入有隔离区；

其中，所述第一电极部通过所述透明导电层和被设置为贯穿所述透明绝缘膜的第一接触部与所述第一半导体层电连接，并且所述第二电极部通过第二接触部与所述第二半导体层电连接，所述第二接触部被设置为贯穿所述透明绝缘膜，并被设置为贯穿所述透明导电层、第一半导体层和活性层，并与它们绝缘。