[发明专利]发光二极管

说明书

本申请基于2010年9月1日提交的日本专利申请No.2010-196081和2010年12月10日提交的日本专利申请No.2010-275210，将其全部内容引入本文作为参考。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，更具体涉及一种具有如下结构的发光二极管，其中，形成于半导体发光元件的衬底侧的两个电极与衬底上的布线相连。

背景技术

近年来，由于晶体品质的改善，作为半导体发光元件的发光二极管(此后称为LED)实现了高的电和光转换效率。LED具有较高的发光效率和较小的发热影响，实现了其在大电流中的应用。因此，与显示用LED相比，用于需要更高亮度照明的光源的LED有更广泛的应用。

为了实现发光元件的高输出，需要较大体积的元件，并确保对较大功率的抗性。作为用于LED的这样的较高输出和较高效率的有效结构，使用凸点(bump)的倒装芯片结构是已知的(例如，参见专利文献1和2)。在倒装芯片结构中，使用LED芯片，其中，如图11所示，通过层叠在透明衬底210上生长具有发光部的规定的半导体层211，在半导体层211上形成两个用于电流注入的电极212、213，并且分别在电极212和213上形成凸点214。将具有这样倒装芯片结构的LED芯片经凸点214安装在衬底216上的金属布线215上。在具有倒装芯片结构的LED中，透明衬底210侧用作光提取表面，并且来自于发光部的光没有被电极屏蔽。因此，可以实现高的光提取效率。

专利文献1：日本特开2008-78225号公报

专利文献2：日本特开2009-59883号公报

但是，例如在如专利文献1和2公开的使用凸点的倒装芯片安装中，安装一个LED需要形成多个凸点，并且不容易控制凸点的数量和高度，在凸点上安装LED的定位和结合也是不容易的，因此导致如下问题：结合容易失败，并且生产性和产率难以提高。

发明内容

因此，希望提供一种发光二极管，其具有优良的热辐射特性和发光特性，并能实现高的生产性和产率。

根据本发明的第一个方面，提供一种发光二极管，其包括布线层和设置在所述布线层上的发光元件；所述发光元件进一步包括半导体发光层、透明导电层、金属反射层、透明绝缘膜以及第一电极部和第二电极部；所述半导体发光层包括自所述布线层侧按顺序排列的第一半导体层、活性层和第二半导体层；所述透明导电层设置在所述半导体发光层的布线层侧；所述金属反射层设置在所述透明导电层的布线层侧；所述透明绝缘膜设置在所述金属反射层的布线层侧，并覆盖所述金属反射层；所述第一电极部和第二电极部设置于所述透明绝缘膜的布线层侧，并与所述布线层电连接，所述第一电极部和第二电极部之间插入有隔离区；其中，所述第一电极部通过所述透明导电层和被设置为贯穿所述透明绝缘膜的第一接触部与所述第一半导体层电连接，并且所述第二电极部通过第二接触部与所述第二半导体层电连接；所述第二接触部被设置为贯穿所述透明绝缘膜，并被设置为贯穿所述透明导电层、第一半导体层和活性层，并与它们绝缘。

附图说明

图1是表示根据本发明的一个实施方式的发光二极管的截面图。

图2是表示本发明的一个实施方式的发光二极管中多个半导体发光元件的连接关系图。

图3A是表示制造根据本发明的一个实施方式的发光二极管的制造步骤的截面图。

图3B是表示制造根据本发明的一个实施方式的发光二极管的制造步骤的截面图。

图3C是表示制造根据本发明的一个实施方式的发光二极管的制造步骤的截面图。

图4A是表示制造根据本发明的一个实施方式的发光二极管的制造步骤的截面图。

图4B是表示制造根据本发明的一个实施方式的发光二极管的制造步骤的截面图。

图4C是表示制造根据本发明的一个实施方式的发光二极管的制造步骤的截面图。

图5A是表示制造根据本发明的一个实施方式的发光二极管的制造步骤的截面图。

图5B是表示制造根据本发明的一个实施方式的发光二极管的制造步骤的截面图。

图6是表示根据本发明的一个实施方式的发光二极管中光提取表面的一个实例的截面图。

图7A是表示根据本发明的其它实施方式的发光二极管中多个半导体发光元件的连接关系图。

图7B是表示根据本发明的其它实施方式的发光二极管中多个半导体发光元件的连接关系图。

图8是表示根据本发明的其它实施方式的发光二极管的截面图。

图9是表示根据本发明的其它实施方式的发光二极管的截面图。