[发明专利]电平移位器电路以及显示器驱动电路

权利要求书

1.一种电平移位器电路，包括：

第一电压变换电路，所述第一电压变换电路接收振幅范围在第一电源电位和高于所述第一电源电位的第二电源电位之间的输入信号，并根据所述输入信号来输出具有的振幅大于所述输入信号的振幅的电压信号，所述第一电压变换电路包括限流电路，所述限流电路限制从高于所述第二电源电位的第三电源电位的电源线所提供的电流；

第二电压变换电路，所述第二电压变换电路被提供有所述第三电源电位，并根据所述电压信号来输出具有范围在所述第一电源电位和所述第三电源电位之间的振幅的输出信号。

2.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其中，第一线和第二线是分离的，所述第一线为所述第一电压变换电路的所述第一电源电位的电源线，所述第二线为所述第一电源电位的电源线。

3.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其中，所述电压信号具有范围在所述第一电源电位和所述第三电源电位之间的振幅。

4.根据权利要求3所述的电平移位器电路，其中，

所述限流电路包括源极被连接至所述第三电源电位的所述电源线并且栅极被提供有控制信号的P沟道MOS晶体管，以及

所述P沟道MOS晶体管的漏极根据所述控制信号为所述第一电压变换电路提供电流。

5.根据权利要求2所述的电平移位器电路，其中，所述电压信号具有范围在所述第一电源电位和所述第三电源电位之间的振幅。

6.根据权利要求5所述的电平移位器电路，其中，

所述限流电路包括源极被连接至所述第三电源电位的所述电源线并且栅极被提供有所述控制信号的P沟道MOS晶体管，以及

所述P沟道MOS晶体管的漏极根据所述控制信号为所述第一电压变换电路提供电流。

7.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其中，所述电压信号具有范围在所述第一电源电位和高于所述第二电源电位并低于所述第三电源电位的电压之间的振幅。

8.根据权利要求7所述的电平移位器电路，其中，所述限流电路包括源极被连接至所述第三电源电位的所述电源线并且栅极和漏极被彼此连接的P沟道MOS晶体管。

9.根据权利要求7所述的电平移位器电路，其中，所述限流电路包括漏极被连接至栅极以及所述第三电源电位的所述电源线的N沟道MOS晶体管。

10.根据权利要求2所述的电平移位器电路，其中，所述电压信号具有范围在所述第一电源电位和高于所述第二电源电位并低于所述第三电源电位的电压之间的振幅。

11.根据权利要求10所述的电平移位器电路，其中，所述限流电路包括源极被连接至所述第三电源电位的所述电源线并且栅极和漏极被彼此连接的P沟道MOS晶体管。

12.根据权利要求10所述的电平移位器电路，其中，所述限流电路包括漏极被连接至栅极以及所述第三电源电位的所述电源线的N沟道MOS晶体管。

13.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其中，所述第一电压变换电路包括：

第一N沟道MOS晶体管，所述第一N沟道MOS晶体管的栅极被提供有所述输入信号的非反相信号、源极被连接至所述第一电源电位的所述电源线并且漏极被连接至第一节点；

第二N沟道MOS晶体管，第二N沟道MOS晶体管的栅极被提供有所述输入信号的反相信号、源极被连接至所述第一电源电位的所述电源线并且漏极被连接至第二节点；

第一P沟道MOS晶体管，所述第一P沟道MOS晶体管的栅极被连接至所述第二节点、源极经由所述限流电路被连接至所述第三电源电位的所述电源线并且漏极被连接至所述第一节点；以及

第二P沟道MOS晶体管，所述第二P沟道MOS晶体管的栅极被连接至所述第一节点、源极被连接至所述第三电源电位的所述电源线并且漏极被连接至所述第二节点。