[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110251512.1 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102694022A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 铃木诚和子;安原纪夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电型的漂移层；
设置在所述漂移层之上的第2导电型的基底层；
有选择地设置在所述基底层表面的第1导电型的源极层；
栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置在贯通所述源极层和所述基底层并到达所述漂移层的沟槽内；
场板电极，在所述沟槽内，隔着场板绝缘膜，设置在所述栅极电极的下侧；
电连接于所述漂移层的漏极电极；和
电连接于所述源极层的源极电极，
所述场板电极电连接于所述源极电极，
所述基底层中包含的所述第1导电型的杂质浓度比所述漂移层中包含的所述第1导电型的杂质浓度低，
所述漂移层中包含的所述第1导电型的杂质浓度为1×1016(atoms/cm3)以上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
与所述源极层邻接地，在所述基底层的表面进一步有选择地设置第2导电型的接触层，
所述接触层中包含的第2导电型的杂质浓度比从所述基底层中包含的所述第2导电型的杂质浓度中减去所述基底层中包含的所述第1导电型的杂质浓度后的值高，
所述接触层连接于所述源极电极。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述基底层中包含的第1导电型的杂质浓度比所述漂移层中包含的第1导电型的杂质浓度低。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述沟槽内设置的所述场板电极从垂直于所述漂移层主面的方向看为条状。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在与所述场板电极呈条状延伸的方向大致垂直的方向上的场板电极的间距为1.5μm以下。
6.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电型的漂移层；
设置在所述漂移层之上的第2导电型的基底层；
有选择地设置在所述基底层表面的第1导电型的源极层；
栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置在贯通所述源极层和所述基底层并到达所述漂移层的沟槽内；
柱状第2导电型的半导体层，连接于所述基底层，从所述漂移层的表面直到内部地设置；
电连接于所述漂移层的漏极电极；和
电连接于所述源极层的源极电极，
所述基底层中包含的所述第1导电型的杂质浓度比所述漂移层中包含的所述第1导电型的杂质浓度低，
所述漂移层中包含的所述第1导电型的杂质浓度为1×1016(atoms/cm3)以上。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
与所述源极层邻接地，在所述基底层的表面进一步有选择地设置第2导电型的接触层，
所述接触层中包含的第2导电型的杂质浓度比从所述基底层中包含的所述第2导电型的杂质浓度中减去所述基底层中包含的所述第1导电型的杂质浓度后的值高，
所述接触层连接于所述源极电极。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
所述漂移层与所述第2导电型的所述半导体层交互排列。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
所述基底层中包含的第1导电型的杂质浓度比所述漂移层中包含的第1导电型的杂质浓度低。
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