[发明专利]半导体存储器件及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201110252163.5 申请日: 2008-07-17
公开(公告)号: CN102385538A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 菅野伸一;内川浩典 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 高青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器件,包括:

半导体存储器,被配置为非易失性地存储用于检测多个数据项中的错误的多个检测码、用于校正多个第一数据块中的错误的多个第一校正码、用于校正第二数据块中的错误的第二校正码、以及所述第二数据块,所述第一数据块中的每一个包含数据项之一和相应的检测码,所述第二数据块包括所述第一数据块;

第一校正器,被配置为使用第一校正码来校正第一数据块中的错误;

检测器,被配置为使用所述检测码来检测由第一校正器校正的数据项中的错误,并产生表示在每个已校正的数据项中存在/不存在错误的第一错误信息;和

第二校正器,被配置为使用第一错误信息和第二校正码,来校正已校正的数据项当中包括错误的若干个数据项中的错误,

其中,第二校正码的纠错能力高于第一校正码的纠错能力。

2.如权利要求1所述的器件,其中,第二校正器在由第一校正器校正的数据项不包含错误时停止校正处理。

3.如权利要求1所述的器件,其中,所述半导体存储器是NAND闪速存储器。

4.一种控制半导体存储器件的方法,该半导体存储器件非易失性地存储用于检测多个数据项中的错误的多个检测码、用于校正多个第一数据块中的错误的多个第一校正码、用于校正第二数据块中的错误的第二校正码、以及所述第二数据块,所述第一数据块中的每一个包含数据项之一和相应的检测码,所述第二数据块包括所述第一数据块,该方法包括:

使用第一校正码来校正第一数据块中的错误;

使用所述检测码来检测被第一校正码校正的数据项中的错误,以产生表示在每个已校正的数据项中存在/不存在错误的第一错误信息;和

使用第一错误信息和第二校正码,来校正已校正的数据项当中包含错误的若干个数据项中的错误,

其中,第二校正码的纠错能力高于第一校正码的纠错能力。

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