[发明专利]鳍式场效应管的结构及形成方法有效
| 申请号： | 201110252702.5 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102956701A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 结构 形成 方法 | ||
1.一种鳍式场效应管的结构，包括：
基底；
其特征在于，还包括：
位于所述基底表面鳍部，所述鳍部包括两个位于所述基底表面、且相互分立的子鳍部，及位于两个子鳍部之间且与所述子鳍部接触的应力层，所述应力层的表面与所述子鳍部的表面齐平。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的结构，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe或SiC。
3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的结构，其特征在于，所述子鳍部的材料为Si。
4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的结构，其特征在于，所述应力层的宽度为1-5nm，所述子鳍部的宽度为1-3nm。
5.如权利要求1或4所述的鳍式场效应管的结构，其特征在于，所述应力层的宽度为3-4nm，所述子鳍部的宽度为2-3nm。
6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的结构，其特征在于，所述基底为绝缘体上硅或氧化硅。
7.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；形成位于所述基底表面的硅薄膜；形成位于所述硅薄膜的表面的硬掩膜层；形成位于所述硬掩膜层表面的具有第一开口的图案层，所述第一开口定义出鳍部的形状；形成覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；
以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜，形成第二开口；
在所述第二开口内形成应力层，所述应力层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平；
形成位于所述应力层表面、且位于所述第二开口内的保护层；去除所述图案层；
在去除所述图案层之后，形成与所述侧墙相对应的两个子鳍部。
8.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe或SiC。
9.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的宽度为1-3nm。
10.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的宽度为2-3nm。
11.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二开口的宽度为1-5nm。
12.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二开口的宽度为3-4nm。
13.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氧化硅。
14.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜的形成工艺为热氧化工艺或化学气相沉积工艺。
15.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述图案层的材料为SiON。
16.如权利要求7或15所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述图案层的形成工艺为等离子体沉积工艺。
17.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为SiN或多晶硅。
18.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料与所述侧墙的材料相同；或者所述保护层的材料与所述硬掩膜层的材料相同。
19.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述子鳍部的形成步骤为：以所述侧墙和保护层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，形成第一结构；在形成所述第一结构之后，去除所述侧墙；以所述第一结构和保护层为掩膜刻蚀所述硅薄膜，形成子鳍部。
20.如权利要求19所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述第一结构和保护层，形成鳍部。
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