[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

选通线；

与所述选通线交叉的数据线；

薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

(i)栅极，其连接至所述选通线，

(ii)源极，其连接至所述数据线，

(iii)漏极，其被形成为面对所述源极，以及

(iv)半导体图案，其被形成为与所述栅极交叠，其间布置有栅绝缘膜；

覆盖所述薄膜晶体管的第一及第二保护膜，其中，每个保护膜都具有像素接触孔，所述像素接触孔露出了所述薄膜晶体管的漏极；

像素电极，其位于所述第二保护膜上以连接至所述漏极；以及

公共电极，其与所述像素电极形成边缘场，其中，所述公共电极与所述像素电极隔开由针对所述第二保护膜的底切所设置的间隔。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括连接至所述选通线的选通焊盘以及连接至所述数据线的数据焊盘。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述选通焊盘包括：

选通焊盘下电极，其连接至所述选通线；

选通接触孔，其穿过所述第一及第二保护膜和所述栅绝缘膜；以及

选通焊盘上电极，其连接至所述选通焊盘下电极，并且以与所述像素电极相同的材料、与所述像素电极形成在同一层上，并且与所述公共电极隔开由所述底切所设置的间隔。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述数据焊盘包括：

数据焊盘下电极，其连接至所述数据线；

数据接触孔，其穿过所述第一及第二保护膜；以及

数据焊盘上电极，其连接至所述数据焊盘下电极，并且以与所述像素电极相同的材料、与所述像素电极形成在同一层上，并且与所述公共电极隔开由所述底切所设置的间隔。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述像素电极的厚度大于所述公共电极的厚度。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二保护膜的宽度小于所述第一保护膜的宽度。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一保护膜包括两个或更多个保护膜。

8.一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括以下步骤：

第一掩模步骤，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；

第二掩模步骤，在上面形成有所述第一导电图案的所述基板上沉积栅绝缘膜，并且在所述栅绝缘膜上形成包括半导体图案、源极、漏极和数据线的第二导电图案；

第三掩模步骤，在上面沉积有所述第二导电图案的所述基板上沉积第一保护膜，并且形成像素接触孔，以穿过所述第一保护膜露出所述漏极；

第四掩模步骤，在所述第一保护膜上形成具有公共电极和公共线的第三导电图案，并形成第二保护膜，以与所述公共电极形成底切，并且所述第二保护膜包括露出所述公共电极上的所述漏极的像素接触孔；以及

第五掩模步骤，形成第四导电图案，该第四导电图案包括与所述公共电极隔开由所述底切所设置的间隔的像素电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述栅极和所述选通线包括至少两层电极材料。

10.根据权利要求8所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成连接至所述选通线的选通焊盘，

其中，所述选通焊盘包括：

通过所述第一掩模步骤以与所述栅极相同的材料、与所述栅极同时形成的选通焊盘下电极；

通过所述第三掩模步骤和所述第四掩模步骤被形成为穿过所述栅绝缘膜和所述第一及第二保护膜的选通接触孔；以及

通过第五掩模步骤以与所述像素电极相同的材料、与所述像素电极同时形成的选通焊盘上电极。

11.根据权利要求8所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成连接至所述数据线的数据焊盘，

其中，所述数据焊盘包括：

数据焊盘下电极，其连接至所述数据线；

数据接触孔，其穿过所述第一及第二保护膜；以及

数据焊盘上电极，其由与所述像素电极相同的材料、与所述像素电极同时形成，连接至所述数据焊盘下电极，并且与所述公共电极隔开由所述底切所设置的间隔。