[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110253489.X 申请日: 2011-08-30
公开(公告)号: CN102769013A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 郭喜荣;朴文基 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;吕俊刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法,更具体地,涉及一种可以减少很多制造步骤的薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置通过利用电场来控制具有介电各向异性的液晶的透光率而显示图像。液晶显示装置具有:液晶板,其具有彼此面对地接合在一起的薄膜晶体管基板和滤色器基板;背光单元,其用于将光引导至液晶板;以及驱动电路,其用于驱动液晶显示板。

薄膜晶体管基板具有:在下基板上彼此交叉形成且其间布置有栅绝缘膜的选通线和数据线;形成在其每一个交叉部分处的薄膜晶体管(TFT);通过接触孔与薄膜晶体管的漏极接触的像素电极;以及涂敷在其上的下配向膜。

滤色器基板具有:用于产生颜色的滤色器、用于防止泄光的黑底、用于对像素电极形成垂直电场的公共电极、以及涂敷在其上、用于液晶配向的上配向膜。

因而,液晶板可以被制造为TN(扭曲向列)模式(在这种模式下,电极被提供至各个基板,布置液晶使其指向标(director)扭曲90°,并且将电压施加至电极以驱动指向标),而利用IPS(面内切换)模式来进行工作(在这种模式下,通过由一个基板中的两个电极形成的水平电场来控制液晶的指向标),或者利用FFS(边缘场切换)模式来进行工作(在这种模式下,液晶分子通过在其间具有小间隙的透明导电材料的两个电极之间所形成的边缘场来移动)。

使用FFS模式的液晶板的薄膜晶体管基板是通过包括以下步骤的方法来制造的:利用第一掩模来形成栅极;利用第二掩模来形成半导体图案;利用第三掩模来形成源/漏极;利用第四掩模来形成具有像素接触孔和焊盘区域接触孔的第一保护膜;利用第五掩模来形成像素电极;利用第六掩模来形成具有像素接触孔和焊盘区域接触孔的第二保护膜;以及利用第七掩模在第二保护膜上形成公共电极。同样地,用于制造FFS模式薄膜晶体管基板的方法至少需要七个掩模步骤,因此工艺成本和时间消耗是很大的。

发明内容

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法。

本发明的一个目的是提供一种可以减少很多制造步骤的薄膜晶体管基板及其制造方法。

本公开附加的优点、目的和特征将部分地在以下的描述中进行阐述,并且部分地在本领域技术人员考察了以下描述之后变得明显、或者可以从本发明的实践中获知。将通过在所撰写的说明书和其权利要求以及附图中具体指明的结构来实现并获得本发明的目的和其它优点。

为了实现这些目的和其它优点,并且根据在此具体实施并广泛描述的本发明的一个方面,一种薄膜晶体管基板可以包括:选通线;与选通线交叉的数据;薄膜晶体管,其包括连接至选通线的栅极、连接至数据线的源极、被形成为面对源极的漏极以及被形成为与栅极交叠的半导体图案,半导体图案和栅极之间布置有栅绝缘膜;第一和第二保护膜,其覆盖薄膜晶体管,其中,各个保护膜都具有露出薄膜晶体管的漏极的像素接触孔;像素电极,其形成在第二保护膜上以连接至漏极;以及公共电极,其被形成为与像素电极形成边缘场,并且与像素电极隔开由针对第二保护膜的底切所设置的间距。

根据某些实施方式的薄膜晶体管基板还可以包括连接至选通线的选通焊盘以及连接至数据线的数据焊盘。

根据某些实施方式的选通焊盘可以包括:选通焊盘下电极,其连接至选通线;选通接触孔,其穿过第一和第二保护膜和栅绝缘膜;以及选通焊盘上电极,其连接至选通下电极,并且以与像素电极相同的材料与像素电极形成在同一层上,并且与公共电极隔开由底切所设置的间隔。

根据某些实施方式的数据焊盘可以包括:数据焊盘下电极,其连接至数据线;数据接触孔,其穿过第一和第二保护膜;以及数据焊盘上电极,其连接至数据焊盘下电极,并且以与像素电极相同的材料、与像素电极形成在同一层上,并且与公共电极隔开由底切所设置的间隔。

根据某些实施方式的像素电极的厚度可以大于公共电极的厚度。

根据某些实施方式的第二保护膜的厚度可以小于第一保护膜的厚度。第一保护膜可以包括两个或更多个保护膜。

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