[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

形成了布线及焊盘电极的半导体基板；

在所述半导体基板上形成的再布线；

比所述再布线更宽的表面层。

2.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述再布线相对于所述表面层的蚀刻选择比为1以上。

3.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述再布线的材料为Cu，所述表面层的材料为从Mn、Ta、Ni、Zn、Cr、Co、Sn及Pb中选择的至少一个。

4.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述再布线的顶宽度比底宽度狭窄。

5.权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面层的宽度比所述再布线的底宽度更宽。

6.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体基板形成了集成电路。

7.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具备：

以覆盖所述布线及焊盘电极的方式在所述半导体基板上形成的保护膜；

在所述保护膜形成的使所述焊盘电极露出的第1开口部；

在所述保护膜形成的使所述布线的一部分露出的第2开口部。

8.权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，具备：

在所述保护膜上形成的第1缓冲层；

在所述第1缓冲层形成的、经由所述第1开口部使所述焊盘电极露出的第3开口部；

在所述第1缓冲层形成的、经由所述第2开口部使所述布线的一部分露出的第4开口部。

9.权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护膜是无机绝缘体，所述第1缓冲层是树脂。

10.权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述树脂从聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂及苯酚系树脂中选择。

11.权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

在所述第1缓冲层和所述再布线之间形成的第1基底阻挡金属膜。

12.权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述再布线具备：

经由所述第1开口部及所述第3开口部与所述焊盘电极连接的第1再布线；

经由所述第2开口部及所述第4开口部与所述焊盘电极连接的第2再布线；

在所述第1缓冲层上形成的第3再布线。

13.权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，具备：

在所述第1再布线、所述第2再布线及所述第3再布线上形成的第2缓冲层；

在所述第2缓冲层形成的、使所述第1再布线露出的第5开口部。

14.权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

经由所述第5开口部与所述第1再布线的表面层连接的突出电极。

15.权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出电极是合金焊接层组成的。

16.权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

还具备在所述第2缓冲层和所述突出电极之间形成的第2基底阻挡金属膜。

17.权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2缓冲层是树脂。

18.权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，

所述树脂从聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂及苯酚系树脂中选择。

19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基板上形成基底阻挡金属膜的工序；

在所述基底阻挡金属膜上形成具有开口部的光刻胶图形的工序；

在所述基底阻挡金属膜上形成再布线的工序；

在所述再布线上形成表面层的工序；

通过蚀刻所述再布线的侧面使其宽度比所述表面层更狭窄的工序。

20.权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过在蚀刻所述再布线的侧面的同时蚀刻所述基底阻挡金属膜，除去所述再布线的周围的所述基底阻挡金属膜。