[发明专利]半导体装置内开口的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置内开口的形成方法，包括：

提供半导体基板，所述半导体基板具有依序形成于其上的氧化硅层、多晶硅层与氮化硅层；

图案化所述氮化硅层，在所述氮化硅层内形成第一开口，其中所述第一开口露出了所述多晶硅表面；

施行第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及氟碳化合物(CxFy)的蚀刻气体以在所述多晶硅层内形成第二开口，其中邻近于所述第二开口的所述多晶硅层的侧壁大体垂直于所述氧化硅层顶面，其中所述氟碳化合物内的x约介于1-5且y约介于2-8；

移除所述氮化硅层；以及

施行第二蚀刻程序，在所述第二开口所露出的所述氧化硅层内形成第三开口。

2.根据权利要求1所述的半导体装置内开口的形成方法，其中所述第一蚀刻程序为干蚀刻程序。

3.根据权利要求1所述的半导体装置内开口的形成方法，其中所述第二蚀刻程序为干蚀刻程序。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体装置内开口的形成方法，其中所述氮化硅层通过湿蚀刻程序被移除。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体装置内开口的形成方法，其中所述第二开口具有从上至下的均匀特征尺寸，而所述第三开口的特征尺寸相似于所述第二开口的所述特征尺寸。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体装置内开口的形成方法，其中所述氟碳化合物包括CF₄、C₄F₈、CHF₃或C₂F₆。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体装置内开口的形成方法，其中在所述第一蚀刻程序中，所述氟碳化化物具有约0-50sccm的流速。

8.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体装置内开口的形成方法，其中于所述第一蚀刻程序中，所述溴化氢、所述氧气与所述氟碳化物具有约50∶0∶0-200∶20∶50的比例。

9.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体装置内开口的形成方法，其中所述半导体基板为硅基板。

10.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体装置内开口的形成方法，其中邻近所述第二开口的所述多晶硅层的所述侧壁与所述氧化物层的所述表面间具有约88-90度的夹角。