[发明专利]半导体装置内开口的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，且特别涉及一种半导体装置内开口的形成方法。

背景技术

随着集成电路技术的快速发展，组件微缩及整合为现今电子工业的重要趋势与课题。

已知的一种半导体装置内开口的形成方法包括提供半导体基板，并接着在半导体基板上形成介电层。接着，在介电层上形成阻剂层。接着，施行已知的微影程序以定义与形成图案化阻剂层。接着，使用图案化阻剂层作为蚀刻罩幕，并施行蚀刻操作以移除为图案化阻剂层所露出的介电层的一部分，进而留下了露出半导体基板表面一部分的数个开口的图案化介电层。形成于图案化介电层内的开口可用作接触窗(contact holes)或接触孔(contact vias)，而且可接着在这些开口内填入导电材料以在其内形成导电接触物(conductive contacts)或导电介层物(contact vias)。

然而在前述半导体装置内开口的形成方法中，仍存在有需要被解决的部分问题。举例来说，由于阻剂层内通常形成具有倾斜侧壁轮廓的开口，因而形成于阻剂层内的欲转移至介电层内开口的开口的特征尺寸(critical dimension，CD)可能不准确，以致于形成于介电层内的开口的特征尺寸可能不同于形成于阻剂层内的开口的特征尺寸。最后，形成于介电层内如导电接触物的功能将会受到影醒，且包括上述导电接触物的半导体装置的可靠度与良率也会受到影响。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种半导体装置内开口的形成方法，以解决上述现有技术的问题。

依据一实施例，本发明提供了一种半导体装置内开口的形成方法，包括：

提供半导体基板，该半导体基板具有依序形成于其上的氧化硅层、多晶硅层与氮化硅层；图案化该氮化硅层，在该氮化硅层内形成第一开口，其中该第一开口露出了该多晶硅的表面；施行第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及氟碳化合物(CxFy)的蚀刻气体以在该多晶硅层内形成第二开口，其中邻近于该第二开口的该多晶硅层的侧壁大体垂直于该氧化硅层的顶面，其中该氟碳化合物内的x约介于1-5且y约介于2-8；移除该氮化硅层；以及施行第二蚀刻程序，在该第二开口所露出的该氧化硅层内形成第三开口。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图作详细说明。

附图说明

图1-3为一系列剖面图，显示了依据本发明一实施例的一种半导体装置内开口的形成方法；以及

图4-6为一系列剖面图，显示了依据本发明一实施例的一种半导体装置内开口的形成方法。

主要组件符号说明

100～半导体基板；

101～第一介电层；

102～第二介电层；

104～第三介电层；

106～蚀刻程序；

108～蚀刻程序；

110～蚀刻程序；

200～半导体基板；

201～第一介电层；

202～第二介电层；

204～第三介电层；

206～蚀刻程序；

208～蚀刻程序；

210～蚀刻程序；

OP1、OP2、OP3开口；

OP4、OP5、OP6～开口；

α1～夹角；

α2～夹角。

具体实施方式

图1-3为一系列剖面图，显示了依据本发明一实施例的一种半导体装置内开口的形成方法。在此，上述方法为发明人所知悉的方法且用作比较例，借以解说发明人所发现的问题，而并非用于限定本发明。