[发明专利]晶圆级封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，包括

提供基板；

在所述基板内形成空腔；

在所述基板内和空腔的部分表面形成再分布线路；

提供待封装芯片，所述待封装芯片具有器件表面和与器件表面相对的底表面；

在所述器件表面的焊垫层表面形成凸块下金属层和形成在凸块下金属层表面的凸块；

将形成有凸块的待封装芯片与所述基板连接，使得所述待封装芯片与空腔正对且所述凸块与再分布线路电连接。

2.如权利要求1所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，所述基板为多层堆叠结构。

3.如权利要求2所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，当所述基板包括第一基板和第二基板时；所述第一基板具有开口，所述第一基板背离所述开口的表面具有红外过滤膜；所述第二基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的具体形成工艺为：

将第一基板具有开口的表面与第二基板的第一表面粘合；

在所述第二基板的第二表面形成再分布线路，所述再分布线路暴露出部分第二表面，所述暴露出的第二表面与所述开口位置对应；

在所述再分布线路表面形成保护层，所述保护层暴露出部分再分布线路表面；

以所述再分布线路为掩膜去除部分所述第二基板，直至暴露出所述开口，形成空腔；

提供待封装晶圆，所述待封装晶圆具有器件表面和与器件表面相对的底表面；

沿所述底表面对所述待封装晶圆进行减薄；

在所述器件表面的焊垫层表面形成凸块下金属层和形成在凸块下金属层表面的凸块；

切割所述待封装晶圆形成多个待封装芯片；

将形成有凸块的待封装芯片与所述第二基板连接，使得所述待封装芯片与空腔正对且所述凸块与再分布线路电连接。

4.如权利要求2所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，当所述基板包括第一基板和第二基板时；

所述第一基板具有第一开口，所述第一基板背离所述第一开口的表面具有红外过滤膜；所述第二基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的具体形成工艺为：

将第一基板具有第一开口的表面与第二基板的第一表面粘合；

沿第二表面去除部分第二基板，直至暴露出第一基板，形成第二开口，所述第二开口完全暴露出第一开口，且第二开口的宽度大于第一开口的宽度；

在第二基板暴露出的第一基板的表面形成通孔，在所述第二基板的第二表面和第二基板暴露出的第一基板的表面形成再分布线路，所述再分布线路覆盖所述通孔表面；

在所述再分布线路表面形成保护层，所述保护层暴露出部分再分布线路表面；

提供待封装芯片，所述待封装芯片具有器件表面和与器件表面相对的底表面；

在所述器件表面的焊垫层表面形成凸块下金属层和形成在凸块下金属层表面的凸块；

将形成有凸块的待封装芯片与第一基板和第二基板连接，使得所述待封装芯片与第一开口正对且所述凸块填充满所述通孔。

5.如权利要求2所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，当所述基板包括第一基板和第二基板时；在第二基板内形成第一开口和第二开口，且所述第二开口完全暴露出第一开口，且第二开口的宽度大于第一开口的宽度。

6.如权利要求2所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，当所述基板包括第一基板和第二基板时，第一基板材料为玻璃，第二基板材料为玻璃或硅。

7.如权利要求1所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述基板表面形成凸点，在以所述底表面为基准面，背离所述器件表面的方向上，所述凸点高于所述待封装芯片。

8.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

基板；

位于基底内的空腔；

位于所述基板内和空腔的部分表面的再分布线路；

位于再分布线路表面的待封装芯片，所述待封装芯片具有器件表面和与器件表面相对的底表面，在所述器件表面的焊垫层表面具有凸块下金属层和位于在凸块下金属层表面的凸块，且所述待封装芯片与空腔正对且所述凸块与再分布线路电连接。