[发明专利]提高隔离氧化物CMP均匀性的方法有效
| 申请号： | 201110257855.9 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969238A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;杨涛;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 隔离 氧化物 cmp 均匀 方法 | ||
1.一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：
在衬底上形成垫层，在垫层上以及衬底中形成隔离氧化物层；
在隔离氧化物层上形成第一盖层，第一盖层的顶部高度差等于或大于隔离氧化物层的顶部高度差；
在第一盖层上形成第二盖层，第二盖层的顶部高度差小于第一盖层的顶部高度差和/或隔离氧化物层的顶部高度差；
依次对第二盖层、第一盖层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露垫层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，隔离氧化物层、第一盖层、第二盖层均采用HDPCVD方法形成。
3.如权利要求2所述的方法，其中，通过控制沉积速率和溅射速率的比值R来控制顶部高度差。
4.如权利要求3所述的方法，其中，隔离氧化物层的沉积速率和溅射速率的比值为R0，第一盖层沉积速率和溅射速率的比值为R1，第二盖层的沉积速率和溅射速率的比值为R2，其中R2≤R0≤R1。
5.如权利要求4所述的方法，其中，R1为R0的1.0倍至1.5倍。
6.如权利要求4所述的方法，其中，R2为R1的30％至80％。
7.如权利要求6所述的方法，其中，R2为R0的50％至100％。
8.如权利要求2所述的方法，其中，HDPCVD反应炉中通入含硅的还原剂、氧化剂、以及等离子体原料气，含硅的还原剂包括SiH4、TEOS，氧化剂包括O2、NxO、O3，等离子体原料气包括He、Ar。
9.如权利要求1所述的方法，其中，隔离氧化物层顶部高度差为1000～第一盖层顶部高度差为1000～第二盖层顶部高度差为100～
10.如权利要求1所述的方法，其中，形成第二盖层之后，还包括对第二盖层进行刻蚀。
11.如权利要求10所述的方法，其中，刻蚀气体包括NFa、SF6、碳氟基气体以及O2、O3、NxO。
12.如权利要求10所述的方法，其中，刻蚀完成之后第二盖层顶部高度差减少为50～
13.如权利要求1或10所述的方法，其中，形成多个第一盖层和/或多个第二盖层，和/或进行多次刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
