[发明专利]存储元件以及存储器无效
| 申请号： | 201110262491.3 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102403448A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 以及 存储器 | ||
1.一种存储元件，包括：
磁性层，包含FexNiyBz作为主要成分，并具有在垂直于膜面的方向上的磁各向异性，其中，x+y+z＝1，0.2x≤y≤4x，且0.1(x+y)≤z≤0.4(x+y)；以及
氧化物层，由具有氯化钠结构或尖晶石结构的氧化物形成，并与所述磁性层的一个面相接触。
2.根据权利要求1所述的存储元件，
其中，包含吸收硼的元素的层形成在所述磁性层的与其上形成有所述氧化物层的面相对的面上。
3.根据权利要求2所述的存储元件，
其中，所述包含吸收硼的元素的层包含从由Ti、V、Nb、Zr、Ta、Hf以及Y组成的组中选择的至少一种作为所述吸收硼的元素。
4.根据权利要求3所述存储元件，
其中，所述包含吸收硼的元素的层由合金形成，所述合金包含从Ti、V、Nb、Zr、Ta、Hf和Y组成的组中选择的至少一种元素以及从由Fe、Co和Ni组成的组中选择的至少一种元素。
5.根据权利要求1所述的存储元件，
其中，所述磁性层和用作记录所述磁性层上的信息的基准的层在所述氧化物层介于其间的情况下相层叠。
6.根据权利要求1所述的存储元件，
其中，所述磁性层的厚度为0.5nm至2nm。
7.根据权利要求1所述的存储元件，
其中，所述氧化物层由MgO或MgAl2O4形成。
8.一种存储器，包括：
存储元件，包括：磁性层，由FexNiyBz表示，并且具有在垂直于膜面的方向上的磁各向异性，其中，x+y+z＝1，0.2x≤y≤4x，且0.1(x+y)≤z≤0.4(x+y)；以及氧化物层，由具有氯化钠结构或尖晶石结构的氧化物形成并与所述磁性层的一个面相接触；以及
配线，用于向所述存储元件提供电流。
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