[发明专利]LED的制程方法

权利要求书

1.一种LED的制程方法，其特征在于，包括：

获取外延片；

对所述外延片进行处理，分别在所述外延片上生成LED的P极区的图形和N极区的图形、LED的电流阻挡层图形、LED的透明导电层图形；

对处理后的所述外延片进行保护层黄光制程，在所述外延片上生成LED的焊盘图形和保护层图形。

2.根据权利要求1所述的LED的制程方法，其特征在于，

在所述外延片上生成LED的P极区的图形和N极区的图形为通过对所述外延片进行平台黄光制程的步骤而生成的；

在所述外延片上生成LED的电流阻挡层图形为通过对经所述平台黄光制程后的所述外延片进行电流阻挡层黄光制程的步骤而生成的；

在所述外延片上生成LED的透明导电层图形为通过对经所述电流阻挡层黄光制程后的所述外延片进行透明导电层黄光制程的步骤而生成的。

3.根据权利要求2所述的LED的制程方法，其特征在于，所述对所述外延片进行平台黄光制程的步骤包括：

对所述外延片进行平台黄光处理，以定义出所需蚀刻的区域；

对经所述平台黄光处理后的所述外延片进行蚀刻，蚀刻到所述外延片的N型氮化镓层，以定义LED的P极区的图形与N极区的图形；

去除所述外延片上进行平台黄光处理时涂覆的光阻。

4.根据权利要求2所述的LED的制程方法，其特征在于，所述对平台黄光制程后的所述外延片进行电流阻挡层黄光制程的步骤包括：

在经平台黄光制程的所述外延片上沉积电流阻挡层；

对沉积电流阻挡层的所述外延片进行电流阻挡层黄光处理，以定义出LED的电流阻挡层图形；

对经电流阻挡层黄光处理的所述外延片进行电流阻挡层的蚀刻，以蚀刻未被光阻保护的区域；

去除所述外延片上进行电流阻挡层黄光处理时涂覆的光阻。

5.根据权利要求4所述的LED的制程方法，其特征在于，

所述对平台黄光制程后的所述外延片进行电流阻挡层黄光制程的步骤之前，所述方法还包括：在经所述平台黄光制程的所述外延片上沉积硬式阻挡层；对沉积硬式阻挡层的所述外延片进行半切后，再进行侧壁蚀刻；对经侧壁蚀刻后的所述外延片进行去除硬式阻挡层的处理；

所述在经平台黄光制程的所述外延片上沉积电流阻挡层的步骤具体为：在去除硬式阻挡层的所述外延片上沉积电流阻挡层。

6.根据权利要求2所述的LED的制程方法，其特征在于，所述对经所述电流阻挡层黄光制程后的所述外延片进行透明导电层黄光制程的步骤包括：

在经所述电流阻挡层黄光制程的所述外延片上沉积透明导电层；

对沉积透明导电层的所述外延片进行透明导电层黄光处理，以定义出透明导电层图形；

对经透明导电层黄光处理的所述外延片进行透明导电层的蚀刻，以蚀刻未被光阻保护的区域；

去除所述外延片上进行透明导电层黄光处理时涂覆的光阻。

7.根据权利要求6所述的LED的制程方法，其特征在于，所述去除所述外延片上进行透明导电层黄光处理时涂覆的光阻的步骤之后，所述方法还包括：

对去除透明导电层黄光处理时涂覆的光阻的所述外延片进行透明导电层退火处理。

8.根据权利要求2所述的LED的制程方法，其特征在于，所述对处理后的所述外延片进行保护层黄光制程，在所述外延片上生成LED的焊盘图形和保护层图形的步骤包括：

在经所述透明导电层黄光制程的所述外延片上沉积保护层；

对沉积保护层的所述外延片进行保护层黄光处理，以定义保护层图形；

对经保护层黄光处理的所述外延片进行蚀刻，以去除待定义焊盘的位置处的保护层；

对进行蚀刻处理的所述外延片进行焊盘蒸镀金属处理；

对经焊盘蒸镀金属处理的所述外延片进行剥离处理；

去除所述外延片上进行保护层黄光处理时涂覆的光阻。

9.根据权利要求8所述的LED的制程方法，其特征在于，所述去除所述外延片上进行保护层黄光处理时涂覆的光阻的步骤之后，所述方法还包括：

对去除保护层黄光处理时涂覆的光阻的所述外延片进行焊盘合金处理。