[发明专利]LED的制程方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED制程领域，特别是指一种LED的制程方法。

背景技术

目前高功率发光二极管LED的制程为五道制程，制造流程如下所述：

EPI wafer(LED外延片)→mesa黄光(定义LED平台)→ICP dry etching(等离子干蚀刻)→Remove PR(去除光阻)→SiO2 hard mask deposition(二氧化硅沉积做硬式阻挡层)→laser half cutting(镭射切割)→SWE(侧壁蚀刻)→Remove hard mask(去除二氧化硅硬式阻挡层)→CBL(SiO2)deposition(电流阻挡层二氧化硅沉积)→CBL黄光(定义电流阻挡层二氧化硅黄光图形)→CBL wet etching(电流阻挡层湿式蚀刻)→Remove PR(去光阻)→ITO deposition(透明导电层沉积)→ITO黄光(定义透明导电层图形)→ITO wet etching(透明导电层湿式蚀刻)→Remove PR(去除光阻)→RTP(快速热退火)→NP黄光(定义电极图形)→metal deposition(Pad)(金属电极沉积)→liftoff(剥离不需要金属部分)→Remove PR(去除光阻)→PAD annealing(电极退火)→Preservation deposition(SiO2)(二氧化硅保护层沉积)→Preservation黄光(定义保护层图形)→SiO2 wet etching(二氧化硅保护层湿式蚀刻)→Remove PR(去除光阻)。

可以看出，目前LED使用五道制程，制程工时比较长。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种LED的制程方法，减少了LED的制程工序，从而减少了制程工时。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一种LED的制程方法，包括：

获取外延片；

对所述外延片进行处理，分别在所述外延片上生成LED的P极区的图形和N区极的图形、LED的电流阻挡层图形、LED的透明导电层图形；

对处理后的所述外延片进行保护层黄光制程，在所述外延片上生成LED的焊盘图形和保护层图形。

在所述外延片上生成LED的P极区的图形和N区极的图形为通过对所述外延片进行平台黄光制程的步骤而生成的；

在所述外延片上生成LED的电流阻挡层图形为通过对经所述平台黄光制程后的所述外延片进行电流阻挡层黄光制程的步骤而生成的；

在所述外延片上生成LED的透明导电层图形为通过对经所述电流阻挡层黄光制程后的所述外延片进行透明导电层黄光制程的步骤而生成的。

所述对所述外延片进行平台黄光制程的步骤包括：

对所述外延片进行平台黄光处理，以定义出所需蚀刻的区域；

对经所述平台黄光处理后的所述外延片进行蚀刻，蚀刻到所述外延片的N型氮化镓层，以定义LED的P极的图形与N极的图形；

去除所述外延片上进行平台黄光处理时涂覆的光阻。

所述对平台黄光制程后的所述外延片进行电流阻挡层黄光制程的步骤包括：

在经平台黄光制程的所述外延片上沉积电流阻挡层；

对沉积电流阻挡层的所述外延片进行电流阻挡层黄光处理，以定义出LED的电流阻挡层图形；

对经电流阻挡层黄光处理的所述外延片进行电流阻挡层的蚀刻，以蚀刻未被光阻保护的区域；

去除所述外延片上进行电流阻挡层黄光处理时涂覆的光阻。

所述对平台黄光制程后的所述外延片进行电流阻挡层黄光制程的步骤之前，所述方法还包括：在经所述平台黄光制程的所述外延片上沉积硬式阻挡层；对沉积硬式阻挡层的所述外延片进行半切后，再进行侧壁蚀刻；对经侧壁蚀刻后的所述外延片进行去除硬式阻挡层的处理；

所述在经平台黄光制程的所述外延片上沉积电流阻挡层的步骤具体为：在去除硬式阻挡层的所述外延片上沉积电流阻挡层。

所述对经所述电流阻挡层黄光制程后的所述外延片进行透明导电层黄光制程的步骤包括：

在经所述电流阻挡层黄光制程的所述外延片上沉积透明导电层；

对沉积透明导电层的所述外延片进行透明导电层黄光处理，以定义出透明导电层图形；

对经透明导电层黄光处理的所述外延片进行透明导电层的蚀刻，以蚀刻未被光阻保护的区域；

去除所述外延片上进行透明导电层黄光处理时涂覆的光阻。

所述去除所述外延片上进行透明导电层黄光处理时涂覆的光阻的步骤之后，所述方法还包括：