[发明专利]制备CdTe薄膜的方法及热蒸发设备

权利要求书

1. 一种制备CdTe薄膜的方法，包括：

准备单质Cd和Te；

将所述Cd和Te平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；

对所述热蒸发源进行加热，以产生Cd蒸汽和Te蒸汽；

在所述热蒸发设备内的CdS衬底上形成CdTe薄膜。

2. 如权利要求1所述的方法，还包括：在将所述Cd和Te平铺于热蒸发设备的热蒸发源上之前，将所述Cd和Te粉碎。

3. 如权利要求2所述的方法，还包括：将粉碎后的Cd和Te按一定比例混合。

4. 如权利要求3所述的方法，其中按照CdTe的化学计量比、即Cd/Te摩尔比为1:1的方式将所述Cd和Te混合。

5. 如权利要求2所述的方法，其中，粉碎后的Cd和Te单质的粒径小于100目。

6. 如权利要求1所述的方法，其中将所述Cd和Te均匀地平铺于所述热蒸发源上，平铺面积大于将要在其上形成CdTe薄膜的CdS衬底的面积。

7. 如权利要求1所述的方法，其中在对所述热蒸发源进行加热时，使所述CdS衬底和所述热蒸发源之间的距离保持大于3mm。

8. 如权利要求7所述的方法，其中在对所述热蒸发源进行加热时，使所述CdS衬底和所述热蒸发源之间的距离保持大于15mm。

9. 如权利要求1所述的方法，其中对所述热蒸发源进行加热采用两段式升温方法。

10. 如权利要求9所述的方法，其中所述两段式升温方法包括：先使所述热蒸发源的温度升至100-300摄氏度，保温10-25分钟，然后再升温至500-900摄氏度。

11. 如权利要求1所述的方法，其中在蒸发源温度大于600摄氏度时，使所述CdS衬底温度保持为350-450摄氏度。

12. 如权利要求1所述的方法，其中对所述热蒸发源进行加热采用三段或更多段式升温方法。

13. 一种制备CdTe薄膜的热蒸发设备，包括：

热蒸发源，在所述热蒸发源上平铺准备好的单质Cd和Te；

加热装置，对所述热蒸发源进行加热，以产生Cd蒸汽和Te蒸汽；以及

CdS衬底，在所述CdS衬底上形成CdTe薄膜。

14. 如权利要求13所述的热蒸发设备，还包括：在将所述Cd和Te平铺于热蒸发设备的热蒸发源上之前，将所述Cd和Te粉碎的装置。

15. 如权利要求14所述的热蒸发设备，还包括：将粉碎后的Cd和Te按一定比例混合的装置。

16. 如权利要求15所述的热蒸发设备，其中按照CdTe的化学计量比、即Cd/Te摩尔比为1:1的方式将所述Cd和Te混合。

17. 如权利要求14所述的热蒸发设备，其中，粉碎后的Cd和Te单质的粒径小于100目。

18. 如权利要求13所述的热蒸发设备，其中所述Cd和Te均匀地平铺于所述热蒸发源上，平铺面积大于所述CdS衬底的面积。

19. 如权利要求13所述的热蒸发设备，其中在所述加热装置对所述热蒸发源进行加热时，使所述CdS衬底和所述热蒸发源之间的距离保持大于3mm。

20. 如权利要求19所述的热蒸发设备，其中所述加热装置在对所述热蒸发源进行加热时，使所述CdS衬底和所述热蒸发源之间的距离保持大于15mm。

21. 如权利要求13所述的热蒸发设备，其中所述加热装置采用两段式升温方法对所述热蒸发源进行加热。

22. 如权利要求21所述的热蒸发设备，其中所述两段式升温方法包括：先使所述热蒸发源的温度升至100-300摄氏度，保温10-25分钟，然后再升温至500-900摄氏度。

23. 如权利要求13所述的热蒸发设备，其中在蒸发源温度大于600摄氏度时，所述CdS衬底的温度为350-450摄氏度。

24. 如权利要求13所述的热蒸发设备，其中所述加热装置采用三段或更多段式升温方法对所述热蒸发源进行加热。