[发明专利]一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种发射极上黑硅结构的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括金属栅线电极、钝化层、发射极、黑硅层、硅衬底和金属背电极；所述金属背电极位于所述硅衬底的背面，所述发射极位于所述硅衬底上，所述黑硅层位于所述发射极上，所述钝化层位于所述黑硅层上，所述金属栅线电极位于所述钝化层上。

2.如权利要求1所述的发射极上黑硅结构的太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底为p型单晶硅或多晶硅；所述发射极的掺杂类型为n型，所述发射极的结深为400-700nm。

3.如权利要求1所述的发射极上黑硅结构的太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底为n型单晶硅或多晶硅；所述发射极的掺杂类型为p型，所述发射极的结深为400-700nm。

4.如权利要求1所述的发射极上黑硅结构的太阳能电池，其特征在于，所述金属栅线电极为Ag线、Al线或者其合金线，用于正面电极的引出；所述金属背电极由Al、Ag或者Cu金属制成，用于背面电极的引出。

5.如权利要求1所述的发射极上黑硅结构的太阳能电池，其特征在于，所述黑硅层为多孔状或针尖状黑硅结构；所述多孔状黑硅结构的孔深为100-200nm，所述针尖状黑硅结构的针尖高度为100-200nm。

6.如权利要求1所述的发射极上黑硅结构的太阳能电池，其特征在于，所述钝化层为SiO₂层或者SiN_x层。

7.一种发射极上黑硅结构的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅衬底的背面制备金属背电极；

在所述硅衬底表面制备发射极；

在所述发射极上制备黑硅层；

在所述黑硅层上制备钝化层；

在所述钝化层制备金属栅线电极；

烧结所述硅衬底。

8.如权利要求7所述的发射极上黑硅结构的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在硅衬底的背面制备金属背电极的步骤具体为：在硅衬底的背面通过丝网印刷制备金属背电极。

9.如权利要求7所述的发射极上黑硅结构的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述钝化层制备金属栅线电极的步骤具体为：在所述钝化层通过丝网印刷制备金属栅线电极。

10.如权利要求7所述的发射极上黑硅结构的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述黑硅层上制备钝化层的步骤具体为：在所述黑硅层通过高温热氧化或者PECVD沉积生长方式制备钝化层。