[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效
申请号: | 201110263950.X | 申请日: | 2011-09-02 |
公开(公告)号: | CN102593145A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 柳春基;崔埈厚 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示器,包括:
栅电极,形成于衬底上;
层间绝缘膜,形成于所述衬底上,并覆盖所述栅电极;以及
透明电极,形成于所述层间绝缘膜上;
其中所述层间绝缘膜包括具有不同的折射率的多个层。
2.如权利要求1所述的有机发光显示器,进一步包括栅极绝缘膜,所述栅极绝缘膜形成于所述栅电极下方并且在所述衬底上,其中所述栅极绝缘膜包括具有不同的折射率的多个层。
3.如权利要求2所述的有机发光显示器,进一步包括缓冲层,所述缓冲层形成于所述栅极绝缘膜下方并且在所述衬底上,其中所述缓冲层包括具有不同的折射率的多个层。
4.如权利要求1所述的有机发光显示器,进一步包括无机膜,所述无机膜形成于所述衬底与所述透明电极之间,其中所述无机膜包括具有不同的折射率的多个层。
5.如权利要求1所述的有机发光显示器,进一步包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极形成于所述透明电极上,其中所述透明电极形成于所述层间绝缘膜上并且与所述层间绝缘膜直接接触,并且所述源电极和所述漏电极中的任一个形成于所述透明电极上并且与所述透明电极直接接触。
6.一种有机发光显示器,包括:
缓冲层,形成于衬底的整个表面上;
有源层,形成于所述缓冲层上,并包括沟道区域以及源区域和漏区域;
栅极绝缘膜,形成于所述有源层上;
栅电极,形成于所述栅极绝缘膜上,并且与所述沟道区域交叠;
层间绝缘膜,形成于所述栅极绝缘膜上,并且覆盖所述栅电极;以及
透明电极,形成于所述层间绝缘膜上;
其中所述层间绝缘膜包括具有不同的折射率的多个层。
7.如权利要求6所述的有机发光显示器,进一步包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极分别穿过接触孔连接至所述源区域和所述漏区域,并且所述源电极和所述漏电极形成于所述透明电极上。
8.如权利要求7所述的有机发光显示器,其中所述源电极和所述漏电极中的任意一个形成于所述透明电极上,并且与所述透明电极直接接触。
9.如权利要求6所述的有机发光显示器,其中所述缓冲层包括具有不同的折射率的多个层。
10.如权利要求6所述的有机发光显示器,其中所述栅极绝缘膜包括具有不同的折射率的多个层。
11.如权利要求6所述的有机发光显示器,其中所述栅电极具有多层结构,所述多层结构包括相继层叠的第一栅电极膜、第二栅电极膜以及第三栅电极膜。
12.如权利要求11所述的有机发光显示器,进一步包括电容器第一电极和电容器第二电极,所述电容器第一电极形成于所述缓冲层上;所述电容器第二电极形成于所述栅极绝缘膜上,其中所述电容器第二电极的厚度等于所述第一栅电极膜的厚度。
13.如权利要求11所述的有机发光显示器,其中所述第一栅电极膜比所述第二栅电极膜和所述第三栅电极膜窄。
14.一种制造有机发光显示器的方法,包括以下步骤:
在衬底上形成有源层,所述有源层包括沟道区域以及源区域和漏区域;
在所述衬底上形成栅电极,所述栅电极与所述有源层的所述沟道区域交叠;
通过在所述栅电极上层叠具有不同的折射率的多个层,形成层间绝缘膜;以及
通过在所述层间绝缘膜上层叠透明传导膜并对所述透明传导膜进行构图,形成透明电极。
15.如权利要求14所述的方法,进一步包括在所述有源层的下方通过层叠具有不同的折射率的多个层形成缓冲层的步骤。
16.如权利要求15所述的方法,进一步包括在所述衬底和所述有源层上通过层叠具有不同的折射率的多个层形成栅极绝缘膜的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的