[发明专利]在基底中形成狭缝的方法及刻蚀气体组成有效
| 申请号： | 201110264034.8 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102881581A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王文杰;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/336;C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 形成 狭缝 方法 刻蚀 气体 组成 | ||
1.一种在基底中形成狭缝的方法，其特征在于，包括：
于基底上形成掩模层，特征在于所述掩模层不包括碳；以及
透过所述掩模层为掩模，对所述基底进行蚀刻工艺，于所述基底中形成至少一个狭缝，其中所述蚀刻工艺使用的蚀刻气体包括Cl2、CF4以及CHF3，且CF4与CHF3的莫耳比为0.5至0.8，以及F与Cl的莫耳比为0.4至0.8，及
进行所述蚀刻工艺时同时移除所述掩模层。
2.根据权利要求1所述的在基底中形成狭缝的方法，其特征在于所述基底中已形成有多个浅沟渠隔离结构，所述掩模层形成于所述基底上，以至少暴露一部分位于所述些浅沟渠隔离结构之间的所述基底，以及所述掩模层与所述基底的蚀刻选择比介于0.05至0.06之间。
3.根据权利要求1所述的在基底中形成狭缝的方法，其特征在于所述基底包括硅。
4.根据权利要求1所述的在基底中形成狭缝的方法，其特征在于所述掩模层包括四乙氧基硅烷或氮化硅。
5.根据权利要求1所述的在基底中形成狭缝的方法，其特征在于CF4与CHF3的莫耳比为0.6至0.7，以及F与Cl的莫耳比为0.5至0.7。
6.根据权利要求1所述的在基底中形成狭缝的方法，其特征在于所述狭缝的深度与宽度的比为2至5。
7.根据权利要求6所述的在基底中形成狭缝的方法，其特征在于所述狭缝的深度为200nm至220nm，以及所述狭缝的宽度为40nm至110nm。
8.一种用以于基底中形成狭缝的蚀刻气体组成，包括Cl2、CF4以及CHF3，其特征在于，CF4与CHF3的莫耳比为0.5至0.8，以及F与Cl的莫耳比为0.4至0.8。
9.根据权利要求8所述的用以于基底中形成狭缝的蚀刻气体组成，其特征在于CF4与CHF3的莫耳比为0.6至0.7，以及F与Cl的莫耳比为0.5至0.7。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
