[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在半导体衬底中离子注入杂质；

激活所述杂质以在所述半导体衬底中形成杂质层；

去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底；以及

在去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底之后，于所述半导体衬底之上外延生长半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中

在去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底时，离子注入所述杂质时推入所述半导体衬底中的所述保护膜的构成原子被去除。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在形成所述半导体层之后还包括：

在所述半导体层之上形成栅极绝缘膜；以及

在所述栅极绝缘膜之上形成栅极电极。

4.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在半导体衬底之上形成保护膜；

穿过所述保护膜在所述半导体衬底中离子注入杂质；

激活所述杂质以在所述半导体衬底中形成杂质层；

在形成所述杂质层之后去除所述保护膜；

在去除所述保护膜之后去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底；以及

在去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底之后，于所述半导体衬底之上外延生长半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中

在去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底时，离子注入所述杂质时推入所述半导体衬底中的所述保护膜的构成原子被去除。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，在形成所述半导体层之后还包括：

在所述半导体层之上形成栅极绝缘膜；以及

在所述栅极绝缘膜之上形成栅极电极。

7.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在半导体衬底之上形成第一保护膜；

在所述第一保护膜之上形成第一掩模，所述第一掩模暴露第一区域并覆盖第二区域；

通过使用所述第一掩模去除所述第一区域中的第一保护膜；

在去除所述第一区域中的第一保护膜之后，通过使用所述第一掩模在所述第一区域中的半导体衬底中离子注入第一杂质；

去除所述第一掩模；

在去除所述第一掩模之后激活所述第一杂质以在所述半导体衬底中形成第一杂质层；

在形成所述第一杂质层之后去除剩余的第一保护膜；以及

在去除剩余的第一保护膜之后，于所述半导体衬底之上外延生长半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，在形成所述半导体层之后还包括：

在所述第一区域中的半导体层之上形成第一栅极绝缘膜；以及

在所述第一栅极绝缘膜之上形成第一栅极电极。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，

在形成所述第一保护膜之前还包括：

在所述半导体衬底之上形成第二保护膜；

在所述第二保护膜之上形成第二掩模，所述第二掩模覆盖所述第一区域并暴露所述第二区域；

通过使用所述第二掩模去除所述第二区域中的第二保护膜；

在去除所述第二区域中的第二保护膜之后，通过使用所述第二掩模在所述第二区域中的半导体衬底中离子注入第二杂质；

去除所述第二掩模；以及

去除剩余的第二保护膜，其中

在形成所述第一杂质层时，所述第二杂质被激活进而形成第二杂质层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

在形成所述半导体层之后还包括：

分别在所述第一区域中的半导体层之上形成第一栅极绝缘膜以及在所述第二区域中的半导体层之上形成第二栅极绝缘膜；以及

分别在所述第一栅极绝缘膜之上形成第一栅极电极以及在所述第二栅极绝缘膜之上形成第二栅极电极。

11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中

所述第一保护膜及所述第二保护膜为通过氧化所述半导体衬底而形成的氧化膜；

所述第一杂质包括硼；并且

所述第二杂质包括砷、锑或磷。