[发明专利]一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法有效
| 申请号： | 201110265219.0 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446716A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 半导体器件 载流子 注入 损伤 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，一衬底上设置有栅极的半导体器件，其特征在于，包括以下步骤：
对半导体器件进行斜角重掺杂离子注入工艺，于衬底中形成沟道、源极和漏极；其中，离子注入方向向源极方向倾斜，源极中的重掺杂离子比漏极中的重掺杂离子更靠近沟道。
2.根据权利要求1所述的减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，其特征在于，源漏极远离沟道一端均设置有浅沟隔离槽。
3.根据权利要求1所述的减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，其特征在于，栅极与衬底之间设置有薄氧化层。
4.根据权利要求1所述的减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，其特征在于，栅极侧墙覆盖栅极的侧壁及其邻近的部分衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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