[发明专利]一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法

权利要求书

1.一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法，其特征在于，包括下列步骤：

在MOS器件已形成的栅极上沉积第一硅化物掩膜，刻蚀第一硅化物掩膜，形成MOS器件栅极侧壁的第一侧墙；

进行P型重掺杂硼注入以及热退火处理，使得多晶硅栅的电阻得以降低；

移除第一侧墙，进行轻掺杂漏极工艺，同时进行碳离子辅助注入，在栅极下方的基体与源漏极区域的交界处形成超浅结；

在栅极上再次沉积第二硅化物掩模，刻蚀后形成第二侧墙；

自对准硅化物工艺，在MOS器件表面形成自对准硅化物。

2.根据权利要求1所述的降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法，其特征在于，所述在MOS器件已形成的栅极上沉积的第一硅化物掩膜为SiN。

3.根据权利要求1所述的降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法，其特征在于，所述轻掺杂漏极工艺为采用低能量硼离子注入工艺。

4.根据权利要求1所述的降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法，其特征在于，所述刻蚀硅化物掩膜形成所述第一侧墙和所述第二侧墙均采用干法刻蚀。