[发明专利]一种用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法

权利要求书

1.一种用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤a、于一含有NMOS和PMOS器件的半导体基底上覆盖一层与所述NMOS器件及PMOS器件的栅极侧墙同材质的硅化物掩模层；

步骤b、以一光阻材料层覆盖所述PMOS器件区域；

步骤c、对所述NMOS器件区域的硅化物掩模层进行第一次刻蚀，使覆盖于所述NMOS器件区域的硅化物掩模层被部分刻蚀，且使横向刻蚀速率大，纵向刻蚀速率小；

步骤d、去除所述光阻材料层；

步骤e、对所述硅化物掩模层进行第二次刻蚀，使覆盖于所述NMOS器件栅极侧墙表面及所述PMOS器件栅极侧墙表面的硅化物掩模层被部分刻蚀，并使覆盖于其它区域的硅化物掩模层被完全刻蚀，且使横向刻蚀速率小，纵向刻蚀速率大；

步骤f、于所述半导体基底上进行自对准硅化物形成工艺，形成金属硅化物区域；

步骤g、于所述半导体基底表面形成一通孔刻蚀停止层。

2.如权利要求1所述用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，所述步骤a中的所述硅化物掩模层的材质为二氧化硅。

3.如权利要求1所述用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，所述步骤b中的所述光阻材料层为光刻胶。

4.如权利要求1所述用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，所述步骤c中的所述第一次刻蚀参数为：压力5-10mt，源功率400-500w，偏压0V，刻蚀气体为50-70sccm的四氟甲烷和10-15sccm的氧气。

5.如权利要求1所述所述用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，所述步骤e中所述第二次刻蚀参数为：压力5-10mt，源功率400-500w，偏压400-450V，刻蚀气体为20-25sccm的四氟甲烷、30-40sccm的三氟甲烷、5-10sccm的氧气和75-100sccm的氩气。

6.如权利要求1所述所述用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，所述步骤g形成的通孔刻蚀停止层对CMOS器件沟道产生张应力。

7.一种用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤a、于一含有NMOS和PMOS器件的半导体基底上覆盖一层与所述NMOS器件及PMOS器件的栅极侧墙同材质的硅化物掩模层；

步骤b、以一光阻材料层覆盖所述NMOS器件区域；

步骤c、对所述PMOS器件区域的硅化物掩模层进行第一次刻蚀，使覆盖于所述PMOS器件区域的硅化物掩模层被部分刻蚀，且使横向刻蚀速率大，纵向刻蚀速率小；

步骤d、去除所述光阻材料层；

步骤e、对所述硅化物掩模层进行第二次刻蚀，使覆盖于所述NMOS器件栅极侧墙表面及所述PMOS器件栅极侧墙表面的硅化物掩模层被部分刻蚀，并使覆盖于其它区域的硅化物掩模层被完全刻蚀，且使横向刻蚀速率小，纵向刻蚀速率大；

步骤f、于所述半导体基底上进行自对准硅化物形成工艺，形成金属硅化物区域；

步骤g、于所述半导体基底表面形成一通孔刻蚀停止层。

8.如权利要求7所述所述用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法，其特征在于，所述步骤g形成的通孔刻蚀停止层对CMOS器件沟道产生压应力。