[发明专利]一种根据不同衬底进行光学临近修正的方法有效
| 申请号： | 201110265304.7 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102436132A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 魏芳;张辰明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 根据 不同 衬底 进行 光学 临近 修正 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种根据不同衬底进行光学临近修正的方法，包括一包含有有源区和浅沟槽隔离区的原始栅极图形，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：基于栅极光刻不同衬底，分别建立有源区光学临近效应模型和浅沟槽隔离区光学临近效应模型；
步骤S2：将原始栅极图形上位于有源区和浅沟槽隔离区上的栅极图形进行分离后，利用有源区光学临近效应模型对分离后的有源区上的栅极图形进行光学邻近效应修正，同时利用浅沟槽隔离区光学临近效应模型对分离后的浅沟槽隔离区上的栅极图形进行光学邻近效应修正；
步骤S3：将进行光学邻近效应修正后的有源区和浅沟槽隔离区上的栅极图形合并到一个版图上。
2.根据权利要求1所述的根据不同衬底进行光学临近修正的方法，其特征在于，利用有源区光学临近效应模型对分离后的有源区上的栅极图形进行模型式光学临近修正。
3.根据权利要求1所述的根据不同衬底进行光学临近修正的方法，其特征在于，利用浅沟槽隔离区光学临近效应模型对分离后的浅沟槽隔离区上的栅极图形进行模型式光学临近修正。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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