[发明专利]一种根据不同衬底进行光学临近修正的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种根据不同衬底进行光学临近修正的方法。

背景技术

在半导体器件的制备工艺过程中，随着超大规模集成电路的迅速发展，在芯片的集成度越来越高的同时，芯片尺寸也愈来愈小。在芯片制备工艺中的过程中，关键尺寸（Critical Dimension，简称CD）也随着工艺代的发展在一步步缩小，于是对光刻工艺的要求就越来越高在先进光刻工艺中，因曝光图形尺寸的缩小，需对光掩模图形进行预先的光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应。但是在传统先进集成电路工艺中，栅极光掩模图形进行模型式光学临近修正（model based OPC）的光学模型是唯一的基于有源区（Active Area，简称AA）建立的。

随着曝光图形的不断变小，进入65nm工艺以后，对栅极尺寸的控制要求越来越严，对光刻工艺和光学临近修正提出了更高的要求。不同衬底下的光学效应的细微差别，已经会影响到光刻的工艺窗口和器件的性能。

图1为本发明背景技术中的栅极设计版图；图2为本发明背景技术中的基于浅沟槽隔离区的模型修正的栅极间距尺寸在曝光条件发生偏移的情况下的仿真图。如图1-2所示，由于浅槽隔离区（Shallow-trench isolation，简称STI）栅极（poly）间距尺寸较小，在光刻曝光条件发生偏移时易产生线间距尺寸错误（Bridge）。图3为基于有源区的模型修正的栅极间距尺寸在曝光条件发生偏移的情况下的仿真图。如图3所示，当仅通过唯一的基于有源区模型修正条件下，也会产生间距尺寸错误（Bridge）。图4为本发明背景技术中根据不同衬底进行光学临近修正的方法中基于不同衬底栅极特征尺寸的仿真图；如图4所示，在不同的衬底下，CD有微小差别。

如图3-4所示，在实际版图中，线端间距都是位于STI上的；而目前的做法是，所有图形都基于有源区的OPC模型进行OPC修正，即用有源区上的OPC模型进行修正，由于衬底引起的修正误差，在光刻曝光条件发生偏移的时候，会产生间距尺寸错误。

发明内容

本发明公开了一种根据不同衬底进行光学临近修正的方法，包括一包含有有源区和浅沟槽隔离区的原始栅极图形，其中，包括以下步骤：

步骤S1：基于栅极光刻不同衬底，分别建立有源区光学临近效应模型和浅沟槽隔离区光学临近效应模型；

步骤S2：将原始栅极图形上位于有源区和浅沟槽隔离区上的栅极图形进行分离后，利用有源区光学临近效应模型对分离后的有源区上的栅极图形进行光学邻近效应修正，同时利用浅沟槽隔离区光学临近效应模型对分离后的浅沟槽隔离区上的栅极图形进行光学邻近效应修正；

步骤S3：将进行光学邻近效应修正后的有源区和浅沟槽隔离区上的栅极图形合并到一个版图上。

上述的根据不同衬底进行光学临近修正的方法，其中，利用有源区光学临近效应模型对分离后的有源区上的栅极图形进行模型式光学临近修正。

上述的根据不同衬底进行光学临近修正的方法，其中，利用浅沟槽隔离区光学临近效应模型对分离后的浅沟槽隔离区上的栅极图形进行模型式光学临近修正。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种根据不同衬底进行光学临近修正的方法，通过建立两个不同的光学临近修正模型，对有源区（Active area）和浅槽隔离区（STI）上的栅极图形尺寸分别作修正，使最终成像的栅极图形尺寸控制得更为精确，且位于浅槽隔离区（STI）上的栅极间距尺寸，通过分离图形并利用基于浅槽隔离区（STI）的模型，修正结果误差可减小4%，以在光刻曝光条件发生偏移的时候，避免产生间距尺寸错误。

附图说明

图1为本发明背景技术中的栅极设计版图；

图2为本发明背景技术中的基于浅沟槽隔离区的模型修正的栅极间距尺寸在曝光条件发生偏移的情况下的仿真图；

图3为本发明背景技术中的基于有源区的模型修正的栅极间距尺寸在曝光条件发生偏移的情况下的仿真图；

图4为本发明背景技术中根据不同衬底进行光学临近修正的方法中基于不同衬底栅极特征尺寸的仿真图；

图5为本发明根据不同衬底进行光学临近修正的方法的仿真流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：