[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一主电极；

第一半导体层，设置在所述第一主电极之上；

第一导电型衬底层，设置在所述第一半导体层之上；

第二导电型衬底层，设置在所述第一导电型衬底层之上；

第一导电型的第二半导体层，设置在所述第二导电型衬底层之上；

第二导电型的埋入层，选择性地设置在所述第一导电型衬底层中；

埋入电极，设置在贯通所述第二导电型衬底层而到达所述埋入层的沟槽的底部，与所述埋入层相接触；

栅绝缘膜，设置在比所述埋入电极靠上的所述沟槽的侧壁；

栅电极，设置在所述沟槽内的所述栅绝缘膜内侧；以及

第二主电极，设置在所述第二半导体层之上，与所述第二半导体层及所述埋入电极电连接。

2.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

在所述沟槽内，在所述栅电极与所述埋入电极之间设置有绝缘膜。

3.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

所述埋入层与所述埋入电极的底面及侧面相接触。

4.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

所述埋入电极是含有杂质且具有导电性的半导体。

5.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体层是第一导电型的漏层。

6.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体层是第二导电型的集电层。

7.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，

所述第二半导体层在所述第二导电型衬底层之上，设置成与所述第二导电型衬底层以相同宽度重叠的条纹状的平面图案。

8.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一主电极；

第一半导体层，设置在所述第一主电极之上；

第一导电型衬底层，设置在所述第一半导体层之上；

第二导电型衬底层，设置在所述第一导电型衬底层之上；

第一导电型的第二半导体层，设置在所述第二导电型衬底层之上；

栅绝缘膜，设置在贯通所述第二导电型衬底层而到达所述第一导电型衬底层的第一沟槽的侧壁；

栅电极，设置在所述第一沟槽内的所述栅绝缘膜内侧；

第二导电型的埋入层，选择性地设置在所述第一导电型衬底层中；

埋入电极，设置在贯通所述第二导电型衬底层而到达所述埋入层的第二沟槽内，与所述埋入层相接触；以及

第二主电极，设置在所述第二半导体层之上，与所述第二半导体层及所述埋入电极电连接。

9.如权利要求8记载的半导体装置，其特征在于，

所述埋入电极设置在所述第二沟槽的底部，

在所述第二沟槽内的所述埋入电极之上设置有隔着绝缘膜与所述栅电极电连接的第二栅电极。

10.如权利要求8记载的半导体装置，其特征在于，

所述埋入电极在所述第二沟槽内从底部到开口部地填充，

所述第二主电极也设置在所述第二沟槽之上，与所述第二沟槽内填充的所述埋入电极的上端相接触。

11.如权利要求10记载的半导体装置，其特征在于，

所述第二导电型衬底层与所述埋入电极的侧面相接触。

12.如权利要求8记载的半导体装置，其特征在于，

所述第二沟槽比所述第一沟槽更深。

13.如权利要求12记载的半导体装置，其特征在于，

所述埋入层在比所述第一沟槽更深的位置与所述埋入电极的底部相接触。

14.如权利要求8记载的半导体装置，其特征在于，

所述埋入层与所述埋入电极的底面及侧面相接触。

15.如权利要求8记载的半导体装置，其特征在于，

所述埋入电极是含有杂质且具有导电性的半导体。