[发明专利]湿蚀刻装置及方法有效
申请号: | 201110267109.8 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN102315092A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 郑文达 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及蚀刻技术领域,尤其涉及一种湿蚀刻装置及方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)是利用液晶材料的特性来显示图像的一种平板显示装置(Flat Panel Display,FPD),其相较于其他显示装置而言具轻薄、低驱动电压及低功耗等优点,已经成为整个消费市场上的主流产品。现今液晶显示面板的制作过程中,大致可分为前段矩阵(Array)工艺、中段成盒(Cell)工艺及后段模块化(Module)工艺。前段的矩阵工艺为生产薄膜式晶体管(TFT)阵列基板及彩色滤光片(CF)基板;中段成盒工艺则将TFT基板与CF板组合,并两者之间注入液晶并切割符合产品尺寸的面板;后段模块化工艺则为组装的面板与背光模块、面板驱动电路、外框等的工艺。
在矩阵工艺中,包括在玻璃基板上沉积金属层,并通过湿蚀刻的方式将其蚀刻成导线。在湿蚀刻技术中,一般包括正向向下蚀刻与侧蚀刻两种特性,这两种蚀刻的速率将决定蚀刻完成后导线的侧向曲度,侧向曲度为导线的侧面与玻璃基板之间的夹角,夹角越小,侧向曲度越大。而导线的侧向曲度会影响下一道镀膜制程的膜覆盖贴合程度。蚀刻后的导线一般要求侧向曲度大,这样下一道的覆盖率会比较好,即导线的侧面与玻璃基板的夹角小,下一道镀膜制程的覆盖率比较好。
但是,在蚀刻液喷洒到玻璃基板上后,蚀刻液对玻璃基板上沉积的金属层进行蚀刻,由于蚀刻液的蚀刻为等向性,即蚀刻液对与之接触的金属层各个方向的蚀刻率基本相同,因此现有技术中无法实现蚀刻液对金属层不同位置的蚀刻率不同,也就无法增大蚀刻后的导线的侧向曲度。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种玻璃基板的湿蚀刻装置,旨在增大蚀刻后的导线的侧向曲度。
本发明提供了一种玻璃基板的湿蚀刻装置,包括传动装置、承载平台、振动装置及基板固定架;其中,
所述基板固定架与所述振动装置连接;
所述振动装置固定在所述承载平台上,驱动所述基板固定架往复运动;
所述承载平台设置在所述传动装置上,随着所述传动装置的运动而移动。
优选地,所述振动装置为线性马达或者螺旋式马达。
优选地,所述振动装置包括电磁装置,其与所述基板固定架连接,所述电磁装置根据外部电路的控制而产生磁性或磁性消失,驱动基板固定架向靠近或者远离电磁装置的方向运动。
优选地,所述振动装置为多个,间隔分布在所述承载平台上。
优选地,所述基板固定架包括连动杆及固定部,所述连动杆与振动装置的转轴枢接,所述固定部与连动杆连接。
优选地,所述固定部为吸盘或夹子。
优选地,所述承载平台上还设有气浮装置或滚珠。
优选地,所述传动装置为滚轮或传动皮带。
本发明还提供了一种湿蚀刻方法,包括以下步骤:
将玻璃基板固定在基板固定架上;
控制传动装置运动,带动设置于其上的承载平台移动;
控制振动装置工作,驱动固定在承载平台上的基板固定架进行往复运动。
优选地,执行控制振动装置工作的步骤的同时,还包括:
启动气浮装置。
本发明通过控制振动装置驱动玻璃基板在欲加快蚀刻速度的方向上进行往复运动,从而可以使得被蚀刻的材料增加与蚀刻液碰撞的机率,加快其侧蚀刻率,由此可增大蚀刻后玻璃基板中导线的侧向曲度,进而提高下一道镀膜制程的贴合率,减少玻璃基板的镀膜异常。
附图说明
图1是本发明湿蚀刻装置一实施例的结构示意图;
图2是图1中玻璃基板的俯视结构示意图;
图3是本发明湿蚀刻装置另一实施例的结构示意图;
图4是本发明湿蚀刻方法一实施例的流程示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
以下结合说明书附图及具体实施例进一步说明本发明的技术方案。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造