[发明专利]功率半导体芯片封装

权利要求书

1.一种器件，包括：

竖直功率半导体芯片，具有外延层和体半导体层，

第一接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的第一主要面上，

第二接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的第二主要面上，所述第二主要面与所述第一主要面相对，以及

导电载体，附着到所述第二接触焊盘，其中在所述导电载体与所述外延层之间的距离等于或者少于50μm。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：

连接层，位于所述第二接触焊盘与所述导电载体之间，其中所述连接层具有等于或者少于10μm的厚度。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述连接层包括扩散焊接材料。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述体半导体层具有等于或者少于30μm的厚度。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述外延层具有等于或者大于20μm的厚度。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述功率半导体芯片是操作电压等于或者大于200V的竖直功率晶体管。

7.一种器件，包括：

竖直功率半导体芯片，具有外延层和体半导体层，

第一接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的第一主要面上，

第二接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的与所述第一主要面相对的第二主要面上，

导电载体，以及

连接层，位于所述第二接触焊盘与所述导电载体之间，其中所述导电载体的厚度与所述功率半导体芯片的厚度、所述第二接触焊盘的厚度和所述连接层的厚度的总和的比值等于或者大于3。

8.根据权利要求7所述的器件，其中所述比值等于或者大于5。

9.根据权利要求7所述的器件，其中所述连接层具有等于或者少于10μm的厚度。

10.根据权利要求7所述的器件，其中所述导电载体具有等于或者大于1.0mm的厚度。

11.根据权利要求7所述的器件，其中所述功率半导体芯片是操作电压等于或者大于200V的竖直功率晶体管。

12.一种器件，包括：

竖直功率半导体芯片，具有外延层和体半导体层，

第一接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的第一主要面上，

第二接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的与所述第一主要面相对的第二主要面上，

导电载体，以及

封装体，包括覆盖所述功率半导体芯片的封装材料，其中所述封装材料具有等于或者大于50,000MPa的弹性模量。

13.根据权利要求12所述的器件，其中所述封装材料的弹性模量等于或者大于60,000MPa。

14.根据权利要求12所述的器件，还包括：

连接层，位于所述第二接触焊盘与所述导电载体之间，其中所述连接层的材料的弹性模量等于或者大于50,000MPa。

15.根据权利要求12所述的器件，其中所述封装材料包括填充物材料，填充物材料在所述封装材料中的百分比等于或者大于80vol%。

16.根据权利要求12所述的器件，其中所述功率半导体芯片是操作电压等于或者大于200V的竖直功率晶体管。

17.一种器件，包括：

竖直功率半导体芯片，具有外延层和体半导体层，

第一接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的第一主要面上，

第二接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的与所述第一主要面相对的第二主要面上，

导电载体，

连接层，位于所述第二接触焊盘与所述导电载体之间，以及

封装体，包括覆盖所述功率半导体芯片的封装材料，其中在所述功率半导体芯片的上表面与所述封装体的上表面之间的距离与所述功率半导体芯片的厚度、所述第二接触焊盘的厚度、所述连接层的厚度和所述导电载体的厚度的总和的比值等于或者大于3。

18.根据权利要求17所述的器件，其中所述比值等于或者大于5。