[发明专利]一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法无效
申请号: | 201110269312.9 | 申请日: | 2011-09-13 |
公开(公告)号: | CN102280373A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 王正凯;龚丽坤 | 申请(专利权)人: | 江阴鑫辉太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/228 | 分类号: | H01L21/228;H01L31/18 |
代理公司: | 江阴市永兴专利事务所(普通合伙) 32240 | 代理人: | 达晓玲;詹世平 |
地址: | 214400 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 多晶 太阳能电池 发射极 扩散 方法 | ||
1.一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法,包括三次通源扩散,其特征在于,所述三次通源扩散步骤为:
(1)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-2.3 L/min,扩散时间为1-20min,进行第一次扩散;
(2)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-2.3 L/min,扩散时间为1-20min,进行第二次扩散;
(3)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-2.3 L/min,扩散时间为1-20min,进行第三次扩散。
2.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法,其特征在于,在所述第一次扩散前还包括硅片预氧化步骤:将温度升至760-880℃,通入大氮和氧气混合气体对硅片表面进行氧化,控制大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4L/min,氧化时间为1-20min。
3.根据权利要求1或2所述的制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法,其特征在于,在所述第三次扩散后还包括恒温推结步骤:将温度保持在760-880℃,通入大氮和氧气混合气体,进行恒温推结,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4L/min,时间为1-20min。
4.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法,其特征在于,所述大氮是为保证石英管内压力稳定,排除杂质气体的大流量氮气,气体流量为18-28L/min,所述小氮为携带液态POCl3进入石英管内的小流量氮气,气体流量为0.3-2.3L/min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴鑫辉太阳能有限公司,未经江阴鑫辉太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110269312.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可在盲孔中更换的定位衬套
- 下一篇:散热片卡合结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造