[发明专利]一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法无效

专利信息
申请号: 201110269312.9 申请日: 2011-09-13
公开(公告)号: CN102280373A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 王正凯;龚丽坤 申请(专利权)人: 江阴鑫辉太阳能有限公司
主分类号: H01L21/228 分类号: H01L21/228;H01L31/18
代理公司: 江阴市永兴专利事务所(普通合伙) 32240 代理人: 达晓玲;詹世平
地址: 214400 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 多晶 太阳能电池 发射极 扩散 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种制备多晶硅太阳电池高效发射极的扩散方法,属于太阳能电池技术领域。

背景技术

太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的器件,由于其清洁、无污染,取之不尽,用之不竭的优点,越来越受关注,成为取代传统能源的最佳新能源。

POCl3液态源扩散法生产效率高,得到的PN结结构均匀、平整,扩散层表面良好,同时有利于制作大面积结太阳能电池,是最主要的制结方法。所制PN结的质量会直接影响到太阳能电池的光电转换效率。POCl3液态源扩散法原理是:POCl3被N2带入高温石英管内分解成P2O5和PCl5,PCl5与O2反应生成P2O5和Cl2,P2O5与硅片反应生成P和SiO2,P原子在硅片中扩散,形成N型硅,并和基片一起构成了PN结。

传统的扩散工艺流程一般由进舟→升温→稳定→扩散→再分布→降温→出舟完成,扩散步骤和再分布步骤采用同一温度完成,结果是,要保证轻掺杂浓度,其POCl(可以分解为磷元素的液态源)源流量不能大,否则浓度会高,但这样会导致方阻均匀性会变得较差,影响电池片电性能参数。无论是恒温工艺还是变温工艺,其都是基于一次通源,磷杂质在硅体内的分布一般符合高斯分布和余误差分布。单纯的通过变化温度,浓度或者时间都很难改变其在硅片内部的掺杂曲线,优化程度有限。

发明内容

本发明提供了一种制备多晶硅太阳能高效发射极的扩散方法,用以解决磷杂质在硅片内的掺杂浓度过高以及分布不均匀的问题。

本发明采用以下方法实现上述目的:一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法,包括三次通源扩散:

(1)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-0.23 L/min,扩散时间为1-20min,进行第一次扩散;

(2)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-0.23 L/min,扩散时间为1-20min,进行第二次扩散;

(3)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-0.23 L/min,扩散时间为1-20min,进行第三次扩散。

在所述第一次扩散前还包括硅片预氧化步骤:将温度升至760-880℃,通入大氮和氧气混合气体对硅片表面进行氧化,控制大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4L/min,氧化时间为1-20min。

在所述第三次扩散后还包括恒温推结步骤:将温度保持在760-880℃,通入大氮和氧气混合气体,进行恒温推结,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4L/min。

其有益效果是:扩散前通入大氮和氧混合气体可以使硅片表面形成一定氧化层,以稳定杂质的扩散速率;扩散后通入大氮和氧混合气体,可有效地控制杂质浓度和推结过程;三次通源扩散较一次通源扩散所形成的PN结,表面杂质浓度低,杂质分布均匀,有利于电子的收集,减少了太阳能电池因复合造成的效率损失,转换效率提高了0.11。本发明在现有生产条件下,并且未增加工艺复杂性。

附图说明

图1是一次通源扩散与三次通源扩散形成结深曲线对比图。

具体实施方式

 本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。

本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

实施例

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