[发明专利]一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法无效
申请号: | 201110269312.9 | 申请日: | 2011-09-13 |
公开(公告)号: | CN102280373A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 王正凯;龚丽坤 | 申请(专利权)人: | 江阴鑫辉太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/228 | 分类号: | H01L21/228;H01L31/18 |
代理公司: | 江阴市永兴专利事务所(普通合伙) 32240 | 代理人: | 达晓玲;詹世平 |
地址: | 214400 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 多晶 太阳能电池 发射极 扩散 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制备多晶硅太阳电池高效发射极的扩散方法,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的器件,由于其清洁、无污染,取之不尽,用之不竭的优点,越来越受关注,成为取代传统能源的最佳新能源。
POCl3液态源扩散法生产效率高,得到的PN结结构均匀、平整,扩散层表面良好,同时有利于制作大面积结太阳能电池,是最主要的制结方法。所制PN结的质量会直接影响到太阳能电池的光电转换效率。POCl3液态源扩散法原理是:POCl3被N2带入高温石英管内分解成P2O5和PCl5,PCl5与O2反应生成P2O5和Cl2,P2O5与硅片反应生成P和SiO2,P原子在硅片中扩散,形成N型硅,并和基片一起构成了PN结。
传统的扩散工艺流程一般由进舟→升温→稳定→扩散→再分布→降温→出舟完成,扩散步骤和再分布步骤采用同一温度完成,结果是,要保证轻掺杂浓度,其POCl3 (可以分解为磷元素的液态源)源流量不能大,否则浓度会高,但这样会导致方阻均匀性会变得较差,影响电池片电性能参数。无论是恒温工艺还是变温工艺,其都是基于一次通源,磷杂质在硅体内的分布一般符合高斯分布和余误差分布。单纯的通过变化温度,浓度或者时间都很难改变其在硅片内部的掺杂曲线,优化程度有限。
发明内容
本发明提供了一种制备多晶硅太阳能高效发射极的扩散方法,用以解决磷杂质在硅片内的掺杂浓度过高以及分布不均匀的问题。
本发明采用以下方法实现上述目的:一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法,包括三次通源扩散:
(1)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-0.23 L/min,扩散时间为1-20min,进行第一次扩散;
(2)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-0.23 L/min,扩散时间为1-20min,进行第二次扩散;
(3)使用液态POCl3磷源,温度为760-880℃,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4 L/min,小氮气体流量为0.3-0.23 L/min,扩散时间为1-20min,进行第三次扩散。
在所述第一次扩散前还包括硅片预氧化步骤:将温度升至760-880℃,通入大氮和氧气混合气体对硅片表面进行氧化,控制大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4L/min,氧化时间为1-20min。
在所述第三次扩散后还包括恒温推结步骤:将温度保持在760-880℃,通入大氮和氧气混合气体,进行恒温推结,大氮气体流量为18-28L/min,氧气流量为0.4-3.4L/min。
其有益效果是:扩散前通入大氮和氧混合气体可以使硅片表面形成一定氧化层,以稳定杂质的扩散速率;扩散后通入大氮和氧混合气体,可有效地控制杂质浓度和推结过程;三次通源扩散较一次通源扩散所形成的PN结,表面杂质浓度低,杂质分布均匀,有利于电子的收集,减少了太阳能电池因复合造成的效率损失,转换效率提高了0.11。本发明在现有生产条件下,并且未增加工艺复杂性。
附图说明
图1是一次通源扩散与三次通源扩散形成结深曲线对比图。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。
本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
实施例
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造