[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110270300.8 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103000524A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供SOI衬底；
刻蚀所述SOI衬底以形成鳍体，所述鳍体包括第一部分及位于所述第一部分之上的第二部分，其中，第二部分的宽度大于第一部分的宽度；
对所述鳍体进行氧化处理；
在所述鳍体上形成栅极及源/漏极。
2.如权利要求1所述的鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，对所述鳍体进行氧化处理后，所述第一部分的材料全部为二氧化硅。
3.如权利要求1所述的鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述SOI衬底由上至下依次包括顶层硅、埋置氧化层及背衬底。
4.如权利要求3所述的鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在所述SOI衬底上形成鳍体的步骤包括：
刻蚀所述顶层硅以形成第一鳍体，所述第一鳍体包括第一部分及位于第一部分之上的初始部分，所述初始部分的宽度与所述第一部分的宽度相同；
在所述第一部分两侧形成保护层；
对所述初始部分进行处理，形成第二部分，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。
5.如权利要求4所述的鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，利用硅的回流工艺对所述初始部分进行处理。
6.如权利要求5所述的鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在利用硅的回流工艺对所述初始部分进行处理后，还包括：利用氢气退火工艺对所述初始部分进行处理。
7.如权利要求4所述的鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为二氧化硅。
8.如权利要求1至7中的任一项所述的鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极为金属栅极。
9.如权利要求1至7中的任一项所述的鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一部分的宽度为10纳米～25纳米，所述第二部分的宽度为20纳米～70纳米。
10.一种鳍型场效应晶体管，其特征在于，包括：
SOI衬底；
通过刻蚀所述SOI衬底形成的鳍体，其中，所述鳍体经过了氧化处理，且所述鳍体包括第一部分及位于所述第一部分之上的第二部分，所述第二部分的宽度大于第一部分的宽度；
形成于所述鳍体上的栅极及源/漏极。
11.如权利要求10所述的鳍型场效应晶体管，其特征在于，所述第一部分的材料全部为二氧化硅。
12.如权利要求10或11所述的鳍型场效应晶体管，其特征在于，所述栅极为金属栅极。
13.如权利要求10或11所述的鳍型场效应晶体管，其特征在于，所述第一部分的宽度为10纳米～25纳米，所述第二部分的宽度为20纳米～70纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
