[发明专利]检查装置和布线电路基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110272187.7 申请日: 2011-09-09
公开(公告)号: CN102435610A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 丰田佳弘 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;H05K3/28
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 检查 装置 布线 路基 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种检查装置和布线电路基板的制造方法,详细而言,涉及用于对布线电路基板的覆盖绝缘层中有无异物进行检查的检查装置、使用该检查装置的布线电路基板的制造方法。

背景技术

以往,带电路的悬挂基板等布线电路基板包括金属支承层、基底绝缘层、导体图案、覆盖绝缘层,基底绝缘层、导体图案、覆盖绝缘层被依次层叠在金属支承层之上。在这样的布线电路基板中,在形成覆盖绝缘层之后,利用对布线电路基板的全体外观进行检查的自动外观检查装置(AVI:Automatic Visual Inspection)对覆盖绝缘层中有无异物进行检查。

作为这样的AVI装置,例如提出有如下所述的检查装置:具有上部照射部件、水平照射部件、显微镜,上部照射部件、水平照射部件、显微镜被配置在长条状的薄膜载带(film carrier tape)的上方并与该薄膜载带相对,该薄膜载带包括绝缘膜、布线图案、覆盖绝缘层,布线图案被形成在绝缘薄膜之上,覆盖绝缘层覆盖布线图案(例如参照日本特开2007-42956号公报)。

在该检查装置中,上部照射部件被形成为以LED为光源的环形照明,上部照射部件以光相对于铅垂方向的入射角是3~45度的方式向薄膜载带照射光。

另外,水平照射部件由1对荧光灯形成,该1对荧光灯呈直线状延伸,并被相互隔着间隔地相对配置在上部照射部件的下侧,水平照射部件以光相对于铅垂方向的入射角是45~90度的方式向薄膜载带照射光。

并且,来自上述的上部照射部件和水平照射部件的光在薄膜载带上反射而形成反射光,利用显微镜来读取该反射光来检查薄膜载带。

然而,在上述的日本特开2007-42956号公报所记载的检查装置中,向薄膜载带照射近似水平的光的水平照射部件由1对直线状的荧光灯形成。

因此,沿着两荧光灯的相对方向凸凹交替地连续,在较大的两个凸部之间存在较小的凸部的情况下(具体而言,薄膜载带的布线图案并列配置有多个,在两个布线图案之间存在小的异物的情况下),小的凸部进入大的两个凸部的阴影中,从而存在难以检测小的凸部的情况。

即、存在不能对有无微细的异物进行高精度的检查的问题。

发明内容

因此,本发明的目的在于提供一种能够对覆盖绝缘层中有无异物进行高精度的检查的检查装置和布线电路基板的制造方法。

本发明的检查装置是用于对下述布线电路基板的覆盖绝缘层中有无异物进行检查的检查装置,上述布线电路基板包括基底绝缘层、形成在上述基底绝缘层之上的导体图案、以覆盖上述导体图案的方式形成在上述基底绝缘层之上的覆盖绝缘层,其特征在于,该检查装置包括用于发出能入射到上述覆盖绝缘层的入射光的发光单元、用于对上述入射光被上述覆盖绝缘层的表面反射而成的反射光进行接收的受光单元,上述发光单元包括第1发光部、第2发光部,第1发光部呈环状,以上述入射光与上述基底绝缘层的表面之间的角度是25度以下的方式发出上述入射光,第2发光部呈环状,以上述入射光与上述基底绝缘层的表面之间的角度是35~65°的方式发出上述入射光。

另外,采用本发明的检查装置,优选上述发光单元还具有第3发光部,第3发光部呈环状,并以上述入射光与上述基底绝缘层的表面之间的角度是15~45°的方式发出上述入射光。

另外,采用本发明的检查装置,优选上述入射光的波长是450~750nm。

另外,采用本发明的检查装置,优选上述入射光相对于上述覆盖绝缘层的透射率是30%以下。

另外,采用本发明的检查装置,优选上述入射光相对于上述覆盖绝缘层的反射率是10~30%。

另外,采用本发明的布线电路基板的制造方法,其特征在于,该布线电路基板的制造方法包括形成基底绝缘层的工序、在上述基底绝缘层之上形成导体图案的工序、在上述基底绝缘层之上以覆盖上述导体图案的方式形成覆盖绝缘层的工序、使用上述检查装置对上述覆盖绝缘层中有无异物进行检查的检查工序。

采用本发明的检查装置,用于发出能入射到覆盖绝缘层的入射光的发光单元包括第1发光部、第2发光部,第1发光部呈环状,以入射光与基底绝缘层的表面之间的角度是25度以下的方式发出入射光,第2发光部呈环状,以入射光与基底绝缘层的表面之间的角度是35~65°的方式发出入射光。

因此,来自第1发光部的以小角度(与基底绝缘层的表面之间的角度是25°以下)入射到覆盖绝缘层的入射光、来自第2发光部的以大角度(与基底绝缘层的表面之间的角度是35~65°)入射到覆盖绝缘层的入射光都呈环状地入射。

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