[发明专利]基于广义小波罚函数优化二相位相移掩膜的方法

权利要求书

1.一种基于广义小波函数优化相移掩膜的方法，其特征在于，具体步骤为：

步骤101、分离二相位相移掩膜PSM 0°及180°相位开口部分对应的图形；其中0°相位开口部分对应的图形表示为N×N的矩阵M₀，M₀对应0°相位开口部分的元素值为1，其余部分元素值为0；180°相位开口部分对应的图形表示为N×N的矩阵M₁₈₀，M₁₈₀对应180°相位开口部分的元素值为1，其余部分元素值为0；

步骤102、利用S形曲线sigmoid函数近似M₀和M₁₈₀，获取具有可导特性的M₀和M₁₈₀；

步骤103、求解M₀及M₁₈₀的一阶哈尔Haar小波变换的高频分量，并根据M₀对应的高频分量求解小波罚函数为R₀，根据M₁₈₀对应的高频分量求解小波罚函数为R₁₈₀；

步骤104、将二相位PSM的广义小波罚函数定义为R₀和R₁₈₀的线性组合，即R＝γ₀R₀+γ₁₈₀R₁₈₀，其中γ₀和γ₁₈₀分别为R₀和R₁₈₀的权重系数，并求取广义小波罚函数R的梯度矩阵

步骤105、利用和R，基于现有的掩膜优化目标函数，对二相位PSM进行优化。

2.根据权利要求1所述的基于广义小波函数优化相移掩膜的方法，其特征在于，设定二相位PSM0°相位开口的透射率为1，180°相位开口的透射率为-1，阻光部分的透射率为0；将二相位PSM图形表示为N×N的矩阵M，矩阵M的元素值为二相位PSM图形上各像素点对应的透射率；

所述矩阵M₀表示为：

M₀＝Γ{M}             (1)

所述矩阵M₁₈₀表示为：

M₁₈₀＝Γ{-1×M}                        (2)

其中，Γ{x}是硬判决函数，

Γ{x}=1,x>00,x≤0]]>

3.根据权利要求2所述的基于广义小波函数优化相移掩膜的方法，其特征在于，所述利用sigmoid函数近似M₀和M₁₈₀为：令

Γ{x}≈sigmoid{x}=1exp(-ax+atr)]]>

取t_r＝0，则(1)式和(2)式分别近似为：

M0≈sig{M}=1exp(-aM)---(3)]]>

M180≈sig{-1×M}=1exp(aM)---(4)]]>