[发明专利]能隙参考电压电路

权利要求书

1.一种能隙参考电压电路，其特征在于，应用于高电位端及低电位端，该能隙参考电压电路包含：

第一电位端；

第二电位端；

起动子电路，电性连接至该第一电位端及该第二电位端；

能隙电压子电路，电性连接至该第一电位端、该第二电位端及该起动子电路，该能隙电压子电路包含运算放大器及能隙参考电压输出端，该运算放大器包含运算放大器输出端、运算放大器反相输入端及运算放大器非反相输入端；及

辅助子电路，电性连接至该第一电位端、该第二电位端、该起动子电路及该能隙电压子电路，该辅助子电路包含：

储电组件，包含储电组件第一端及储电组件第二端，该储电组件第二端电性连接至该第二电位端；

第一晶体管，包含第一晶体管第一端、第一晶体管第二端及第一晶体管第三端，该第一晶体管第一端电性连接至该运算放大器非反相输入端，该第一晶体管第二端电性连接至该储电组件第一端，该第一晶体管第三端电性连接至该第二电位端；及

第二晶体管，包含第二晶体管第一端、第二晶体管第二端及第二晶体管第三端，该第二晶体管第一端电性连接至该第一电位端，该第二晶体管第二端电性连接至该运算放大器输出端，该第二晶体管第三端电性连接至该储电组件第一端，

其中当该第一电位端电性连接至该高电位端，且该第二电位端电性连接至该低电位端之后，该储电组件通过该第二晶体管被该高电位端充电；当该储电组件被充电以至于该储电组件第一端的电位能导通该第一晶体管时，该运算放大器非反相输入端电性连接至该低电位端，借此该运算放大器反相输入端与该运算放大器非反相输入端的电位之间产生微小压差，经过该运算放大器后从该运算放大器输出端输出电压；借此，该能隙电压子电路自该能隙参考电压输出端输出能隙参考电压。

2.如权利要求1所述的能隙参考电压电路，其特征在于，所述辅助子电路还包含第三晶体管，该第三晶体管包含第三晶体管第一端、第三晶体管第二端及第三晶体管第三端，该第三晶体管第一端电性连接至所述储电组件第一端，该第三晶体管第二端电性连接至所述起动子电路，该第三晶体管第三端电性连接至所述第二电位端；其中当所述第一电位端电性连接至所述高电位端，该第二电位端电性连接至所述低电位端之后，且在所述储电组件通过所述第二晶体管被该高电位端充电之前，该起动子电路侦知该第一电位端电性连接至该高电位端且该第二电位端电性连接至该低电位端并控制该第三晶体管导通，使得该储电组件第一端电性连接至该第二电位端。

3.如权利要求2所述的能隙参考电压电路，其特征在于，所述辅助子电路还包含第四晶体管，该第四晶体管包含第四晶体管第一端、第四晶体管第二端及第四晶体管第三端，该第四晶体管第一端电性连接至所述储电组件第一端，该第四晶体管第二端电性连接至所述能隙电压子电路，该第四晶体管第三端电性连接至所述第二电位端；其中在该能隙电压子电路产生所述能隙参考电压之后，该能隙电压子电路控制该第四晶体管导通，使得该储电组件第一端电性连接至该第二电位端。

4.如权利要求3所述的能隙参考电压电路，其特征在于，所述能隙电压子电路还包含：

第五晶体管，包含第五晶体管第一端、第五晶体管第二端及第五晶体管第三端，该第五晶体管第一端电性连接至所述第一电位端，该第五晶体管第二端电性连接至所述运算放大器输出端，该第五晶体管第三端电性连接至所述运算放大器反相输入端；

第六晶体管，包含第六晶体管第一端、第六晶体管第二端及第六晶体管第三端，该第六晶体管第一端电性连接至该第一电位端，该第六晶体管第二端电性连接至该运算放大器输出端，该第六晶体管第三端电性连接至所述运算放大器非反相输入端；及

第七晶体管，包含第七晶体管第一端、第七晶体管第二端及第七晶体管第三端，该第七晶体管第一端电性连接至该第一电位端，该第七晶体管第二端电性连接至该运算放大器输出端，该第七晶体管第三端电性连接至所述第四晶体管第二端。

5.如权利要求4所述的能隙参考电压电路，其特征在于，所述能隙电压子电路还包含：

第八晶体管，包含第八晶体管第一端、第八晶体管第二端及第八晶体管第三端，该第八晶体管第一端电性连接至所述运算放大器反相输入端，该第八晶体管第二端电性连接至所述第二电位端，该第八晶体管第三端电性连接至该第二电位端；及

第九晶体管，包含第九晶体管第一端、第九晶体管第二端及第九晶体管第三端，该第九晶体管第二端电性连接至该第二电位端，该第九晶体管第三端电性连接至该第二电位端。