[发明专利]能隙参考电压电路有效

专利信息
申请号: 201110276018.0 申请日: 2011-09-16
公开(公告)号: CN102999080A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 魏世忠 申请(专利权)人: 晶宏半导体股份有限公司
主分类号: G05F3/20 分类号: G05F3/20
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;武晨燕
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 参考 电压 电路
【说明书】:

技术领域

发明有关一种参考电压电路,特别是一种能隙参考电压电路。

背景技术

参考电压是指电路中一个与电源供给、温度漂移、制程漂移、时间等无关,能保持始终恒定的一个电压;参考电压可以被应用于电源供应系统的稳压器以及许多其它例如测量、控制系统等地方;参考电压的误差大小在不同的应用中有所不同,例如在一般的计算器电源供应系统里,参考电压误差不大于其标准值的百分之一,而实验室的参考电压标准则拥有更高的稳定性和精确度。

以往参考电压可利用电阻分压或晶体管自我偏压的方式产生;但是这样产生出来的参考电压容易受工作电压或温度改变,且受制程变异影响的程度也很大。

后来,发明了能隙参考电压,其原理为在电路中配置具有正温度系数特性与负温度系数特性的组件,并利用其电压产生与温度无关的电压,即称为能隙参考电压。

目前产生能隙参考电压的电路通常包含两个部分:起动电路及能隙电压产生电路;起动电路的功能是在整体电路尚未起动并刚接上电源时,唤醒整个电路;当整个电路被唤醒并产生能隙参考电压之后,起动电路必须被关闭。

然而,目前产生能隙参考电压的电路的缺点是,起动电路与能隙电压产生电路彼此的开启及关闭时间容易出错;例如,起动电路已关闭,但能隙电压产生电路却未能产生出能隙参考电压;或是能隙电压产生电路已经能够产生出能隙参考电压,但是起动电路却尚未关闭;这些情况都会使得在产生能隙参考电压时发生错误;另外,产生能隙参考电压的时间也显得过长而不够快速。

发明内容

有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种能隙参考电压电路,能够正确且快速地产生能隙参考电压。

为达到上述目的,本发明的能隙参考电压电路应用于高电位端及低电位端,该能隙参考电压电路包含:第一电位端;第二电位端;起动子电路,电性连接至该第一电位端及该第二电位端;能隙电压子电路,电性连接至该第一电位端、该第二电位端及该起动子电路,该能隙电压子电路包含运算放大器及能隙参考电压输出端,该运算放大器包含运算放大器输出端、运算放大器反相输入端及运算放大器非反相输入端;及辅助子电路,电性连接至该第一电位端、该第二电位端、该起动子电路及该能隙电压子电路,该辅助子电路包含:储电组件,包含储电组件第一端及储电组件第二端,该储电组件第二端电性连接至该第二电位端;第一晶体管,包含第一晶体管第一端、第一晶体管第二端及第一晶体管第三端,该第一晶体管第一端电性连接至该运算放大器非反相输入端,该第一晶体管第二端电性连接至该储电组件第一端,该第一晶体管第三端电性连接至该第二电位端;及第二晶体管,包含第二晶体管第一端、第二晶体管第二端及第二晶体管第三端,该第二晶体管第一端电性连接至该第一电位端,该第二晶体管第二端电性连接至该运算放大器输出端,该第二晶体管第三端电性连接至该储电组件第一端。其中当该第一电位端电性连接至该高电位端,且该第二电位端电性连接至该低电位端之后,该储电组件通过该第二晶体管被该高电位端充电;当该储电组件被充电以至于该储电组件第一端的电位能导通该第一晶体管时,该运算放大器非反相输入端电性连接至该低电位端,借此该运算放大器反相输入端与该运算放大器非反相输入端的电位之间产生微小压差,经过该运算放大器后从该运算放大器输出端输出电压;借此,该能隙电压子电路自该能隙参考电压输出端输出能隙参考电压。

进一步地,所述辅助子电路还包含第三晶体管,该第三晶体管包含第三晶体管第一端、第三晶体管第二端及第三晶体管第三端,该第三晶体管第一端电性连接至所述储电组件第一端,该第三晶体管第二端电性连接至所述起动子电路,该第三晶体管第三端电性连接至所述第二电位端;其中当所述第一电位端电性连接至所述高电位端,该第二电位端电性连接至所述低电位端之后,且在所述储电组件通过所述第二晶体管被该高电位端充电之前,该起动子电路侦知该第一电位端电性连接至该高电位端且该第二电位端电性连接至该低电位端并控制该第三晶体管导通,使得该储电组件第一端电性连接至该第二电位端。

进一步地,所述辅助子电路还包含第四晶体管,该第四晶体管包含第四晶体管第一端、第四晶体管第二端及第四晶体管第三端,该第四晶体管第一端电性连接至所述储电组件第一端,该第四晶体管第二端电性连接至所述能隙电压子电路,该第四晶体管第三端电性连接至所述第二电位端;其中在该能隙电压子电路产生所述能隙参考电压之后,该能隙电压子电路控制该第四晶体管导通,使得该储电组件第一端电性连接至该第二电位端。

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