[发明专利]切割/芯片接合薄膜

权利要求书

1.一种切割/芯片接合薄膜，其中，在切割薄膜上设置有热固型芯片接合薄膜，其特征在于，

所述热固型芯片接合薄膜含有导电性粒子，

所述热固型芯片接合薄膜的体积电阻率为1×10^-6Ω·cm以上且1×10^-3Ω·cm以下，并且，所述热固型芯片接合薄膜热固化前在-20℃下的拉伸储能弹性模量为0.1GPa～10GPa。

2.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述导电性粒子为平均粒径不同的两种以上导电性粒子，

两种以上的所述导电性粒子各自的平均粒径为0.01μm以上且10μm以下。

3.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

相对于所述热固型芯片接合薄膜的有机成分100重量份，所述导电性粒子的含量为20～90重量份。

4.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，在下述方法中使用：

对半导体晶片照射激光形成改性区域，之后，将所述半导体晶片粘贴到该切割/芯片接合薄膜上，对该切割/芯片接合薄膜施加拉伸张力，由此将所述半导体晶片在所述改性区域断裂，并且将构成该切割/芯片接合薄膜的热固型芯片接合薄膜在与所述改性区域对应的位置断裂，从而形成带有芯片接合薄膜的半导体芯片，从所述切割薄膜上将所得到的所述带有芯片接合薄膜的半导体芯片剥离，并通过该芯片接合薄膜将剥离后的所述带有芯片接合薄膜的半导体芯片固定到被粘物上的方法。

5.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，在下述方法中使用：

在半导体晶片的表面形成沟，然后，通过进行背面磨削使所述沟露出，将该切割/芯片接合薄膜粘贴到所述沟露出的所述半导体晶片的表面上，对该切割/芯片接合薄膜施加拉伸张力，由此将构成该切割/芯片接合薄膜的所述热固型芯片接合薄膜在与所述沟对应的位置断裂，从而形成带有芯片接合薄膜的半导体芯片，从所述切割薄膜上将所得到的所述带有芯片接合薄膜的半导体芯片剥离，并通过该芯片接合薄膜将剥离后的所述带有芯片接合薄膜的半导体芯片固定到被粘物上的方法。

6.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述导电性粒子为选自由镍粒子、铜粒子、银粒子、铝粒子、金粒子、不锈钢粒子、炭黑、碳纳米管、用金属镀敷金属的表面而得到的金属粒子、以及表面被金属包覆的树脂粒子组成的组中的至少一种以上粒子。

7.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述热固型芯片接合薄膜含有作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂。