[发明专利]切割/芯片接合薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及切割/芯片接合薄膜。

背景技术

以往，在半导体装置的制造过程中，使用在切割薄膜上层叠有热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜(例如，参考专利文献1)。在使用该切割/芯片接合薄膜的半导体装置的制造工序中，首先将半导体晶片粘贴到切割/芯片接合薄膜上从而将其固定，并在该状态下进行切割。由此，半导体晶片被小片化为规定的尺寸，成为半导体芯片。然后，为了从切割薄膜上将固定在切割/芯片接合薄膜上的半导体芯片剥离，进行半导体芯片的拾取。

在上述拾取工序中，将带有芯片接合薄膜的半导体芯片从切割薄膜上剥离时，在芯片接合薄膜与切割薄膜之间会产生剥离带电。因此，存在半导体芯片上的电路被产生的静电破坏的问题。

因此，迫切希望开发出具有胶粘性、作业性等以往的作为芯片接合薄膜的功能、并且也具有防静电功能的芯片接合薄膜。

专利文献1：日本特开2008-218571号公报

发明内容

本发明鉴于所述问题点而创立，其目的在于提供具有不易引起剥离带电并且胶粘性、作业性良好的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。

本申请发明人等为了解决所述现有问题点，对在芯片接合薄膜上层叠有切割薄膜的切割/芯片接合薄膜进行了研究。结果发现，通过使热固型芯片接合薄膜含有导电性粒子，将所述热固型芯片接合薄膜的体积电阻率调节为1×10^-6Ω·cm以上且1×10^-3Ω·cm以下，并且，将所述热固型芯片接合薄膜热固化前在-20℃下的拉伸储能弹性模量调节为0.1GPa～10GPa，由此，不易引起剥离带电并且芯片接合薄膜的胶粘性、作业性良好，从而完成了本发明。

即，本发明的切割/芯片接合薄膜，其中，在切割薄膜上设置有热固型芯片接合薄膜，其特征在于，所述热固型芯片接合薄膜含有导电性粒子，所述热固型芯片接合薄膜的体积电阻率为1×10^-6Ω·cm以上且1×10^-3Ω·cm以下，并且，所述热固型芯片接合薄膜热固化前在-20℃下的拉伸储能弹性模量为0.1GPa～10GPa。

根据所述构成，由于热固型芯片接合薄膜的体积电阻率为1×10^-3Ω·cm以下，因此，可以发挥高的防静电效果。因此，可以防止半导体芯片被拾取时的剥离带电破坏，并且可以防止将带有芯片接合薄膜的半导体芯片层叠到被粘物上时的带电。结果，可以提高作为器件的可靠性。

另外，所述热固型芯片接合薄膜的热固化前在-20℃下的拉伸储能弹性模量为10GPa以下，因此，可以使与被粘物的胶粘性、以及作业性良好。另外，上述拉伸储能弹性模量为0.1GPa以上，具有比较高的弹性模量，因此在扩张时可以容易地传递应力。

另外，本发明中的“体积电阻率”是根据JIS K 7194，通过四探针法测定的值。

另外，关于所述构成，优选：所述导电性粒子为平均粒径不同的两种以上导电性粒子，并且两种以上的所述导电性粒子各自的平均粒径为0.01μm以上且10μm以下。通过将所述导电性粒子的平均粒径设定为0.01μm以上，可以确保对被粘物的润湿性从而发挥良好的胶粘性。另外，通过将所述导电性粒子的平均粒径设定为10μm以下，可以使导电性粒子的添加所带来的导电性和热电导性的提高效果更加良好。另外，可以使热固型芯片接合薄膜的厚度变薄，可以进行高层叠化，可以防止由于导电性粒子从热固型芯片接合薄膜突出而产生芯片破裂。另外，通过将导电性粒子设定为平均粒径不同的两种以上导电性粒子，可以容易地提高填充率。

另外，关于所述构成，优选：相对于所述热固型芯片接合薄膜的有机成分100重量份，所述导电性粒子的含量为20～90重量份。通过将所述导电性粒子的含量设定为20重量份以上，可以形成导电路径，提高体积电阻率，可以抑制导电功能下降。另外，通过将所述导电性粒子的含量设定为90重量份以下，可以良好地保持热固型芯片接合薄膜的韧性，从而防止在操作热固型芯片接合薄膜时产生破裂或缺损。