[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1导电型的漂移层，在第1导电型的半导体衬底上形成；

第2导电型的基极层，在所述漂移层表面选择性地形成；

第2导电型的阱层，与所述基极层邻接且在所述漂移层表面形成；

沟槽，从所述基极层表面跨越延伸到所述阱层表面而形成，且在所述阱层表面具有延伸方向的沟槽端部；以及

栅极电极，在包含所述沟槽的所述漂移层上选择性地形成，

所述沟槽具备从所述沟槽端部跨越延伸到所述基极层与所述阱层边界附近的所述基极层表面内的第1区域，以及在所述基极层表面内从所述第1区域端部延伸的第2区域，

所述第1区域的沟槽宽度比所述第2区域的沟槽宽度宽。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2区域的沟槽宽度为0.25μm以下。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第1区域的沟槽宽度为0.35μm以上。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述半导体衬底由宽带隙半导体构成。