[发明专利]类金刚石复合二硫化钼纳米多层薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201110277261.4 | 申请日: | 2011-09-17 |
公开(公告)号: | CN102994947A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 王立平;亓健伟;王云锋;薛群基 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人: | 方晓佳 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金刚石 复合 二硫化钼 纳米 多层 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种类金刚石复合二硫化钼纳米多层薄膜,其特征在于该薄膜镀覆在不锈钢表面上,薄膜由高硬度类金刚石薄膜和二硫化钼润滑膜多层交替构成;类金刚石薄膜单层厚度为10~100nm,层数为10-100层,二硫化钼润滑膜单层厚度为10-100nm,层数为10-100层;类金刚石复合二硫化钼纳米多层薄膜总厚度为1.5~6μm,硬度为12-18GPa。
2.一种类金刚石复合二硫化钼纳米多层薄膜的制备方法,其特征在于首先对不锈钢基底进行超声清洗前处理,然后置于MFD800型双靶磁控溅射气相沉积系统的真空腔中,依次沉积以下薄膜:(a)预抽真空至5×10-4Pa,放电气压为1.0~1.5Pa,偏压为-500~-1000V,对不锈钢基底进行20~30min的氩等离子体溅射活化处理;(b)单层类金刚石碳薄膜沉积,采用直流电源控制石墨靶,氩气气氛,放电气压为0.8Pa,控制石墨靶电流为1.0~1.4A,在不锈钢基底上施加偏压-200~-400V,沉积时间为1~15min;(c)单层二硫化钼润滑层沉积,采用射频电源控制二硫化钼靶,功率为200~600W,沉积时间为1~10min;(d)重复步骤(b)和(c),交替沉积类金刚石层和二硫化钼润滑层,直到所需厚度或层数,最终在不锈钢基底表面获得类金刚石复合二硫化钼纳米多层薄膜。
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