[发明专利]页面擦除的非易失性半导体存储器

权利要求书

1.一种具有n个块的非易失性存储器阵列的页面的擦除验证方法，每个块具有m个存储单元页面，n和m均为正整数，在所选择块中选择一个或多个页面，每个块具有衬底上的多个存储单元串和越过该串的m个字线，每个字线可操作地连接到m个存储单元页面中相应的一个，所述方法包括：

施加导致所选择的一个或多个页面的每个存储器单元仅在被擦除时导通的选择验证电压到对应于所选择的一个或多个页面的每个字线；

施加导致未选择页面的每个存储器单元导通而与该未选择页面的每个存储单元的各自状态无关的未选择验证电压到对应于未选择页面的每个字线；并且

读出每一串的状态，用于验证每个所选择字线的每个存储器单元的擦除。

2.根据权利要求1所述的方法，其中施加选择验证电压包括施加0伏到对应于所选择页面的每个字线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中施加未选择验证电压包括施加读取电压到对应于未选择页面的每个字线。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

连接每个串到公共电源线电压；和

基于所选择字线的数量从多个电压电平中选择公共电源线电压的电平。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

连接每个串到公共电源线电压；和

从多个电压电平中选择公共电源线电压的电平，其中多个电压电平的数量大致小于m-1。

6.一种包括具有多个块的存储器阵列的非易失性存储器，每个块包括：

m个存储单元页面，m为正整数，

衬底上的多个存储单元串，和

越过该串的m个字线，每个字线可操作地连接到m个页面中相应的一个，

施压器，用于施加：

选择验证电压到所选择块中的所擦除页面的字线，

和施加未选择验证电压到所选择块中的非擦除页面的字线；以及传感器，用于读出该串的状态。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其中每个串可连接到公共电源线电压，该公共电源线电压的电平基于多个所擦除页面的数量从多个电压电平中进行选择。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器，其中如果多个所擦除页面的数量是1，则该公共电源线电压的电平被选择在大致在r＝0.3至0.5伏的范围内。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中对于每个额外的所擦除页面，该公共电源线电压的所选择电平减小r/m。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中该公共电源线电压的所选择电平随着多个所擦除页面的数量的增加而减小。

11.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其中该施压器包括：

供压器，用于响应于地址指令来提供选择验证电压和未选择验证电压。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器，其中该供压器包括：

锁存器，用于响应于该地址指令来锁存逻辑条件。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器，其中该施压器还包括：

导通晶体管，用于将选择验证电压导通到所擦除页面的字线。

14.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其中该选择验证电压导致所选择的一个或多个页面的每个存储器单元仅在被擦除时导通且该未选择验证电压导致未选择页面的每个存储器单元导通而与该未选择页面的每个存储单元的各自状态无关。

15.一种具有衬底上的多个存储器单元串和越过所述串到存储器单元页面的字线的非易失性存储器阵列中的一个或者多个页面的擦除验证方法，所述方法包括：

施加导致每个存储器单元仅在被擦除时导通的选择验证电压到所选择块的多个所选择字线中的每一个；

施加导致每个存储器单元导通而与状态无关的未选择验证电压到所选择块的多个未选择字线中的每一个；并且

读出每个串的状态，用于验证每个所选择字线的每个存储器单元的擦除。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，每一串连接到终端电压，基于所选择字线的数量，从多个电压电平的其中一个选择所述终端电压的电平。