[发明专利]半导体元件及该半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

第一导电型的第一半导体层；

第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，且包含在沿着所述第一半导体层的主面的方向上交替设置的第一导电型的第一柱及第二导电型的第二柱；

第一控制电极，隔着第一绝缘膜而填埋在从所述第二半导体层的表面向所述第一半导体的方向设置的沟槽的内部；

第二控制电极，隔着第二绝缘膜而设置在所述第二半导体层上，且与所述第一控制电极相连；

第二导电型的第一半导体区域，设置在除由所述第二控制电极覆盖的部分以外的所述第二半导体层的表面；

第一导电型的第二半导体区域，与由所述第二控制电极覆盖的所述第二半导体层的表面相隔开，且选择性地设置在所述第一半导体区域的表面；

第二导电型的第三半导体区域，与所述第二半导体区域相邻接且选择性地设置在所述第一半导体区域的表面；

第一主电极，与所述第一半导体层电连接；及

第二主电极，与所述第二半导体区域及第三半导体区域电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一柱及所述第二柱设置成在沿着所述第一半导体层的所述主面的方向上延伸的条纹状；

所述第一控制电极在所述第一柱及所述第二柱的延伸方向上设置成条纹状。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于：

所述第二控制电极设置成与所述第一柱及所述第二柱交叉的条纹状。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

在所述第二半导体层设置着多个所述第一控制电极；

多个所述第二控制电极将相邻的所述第一控制电极之间连成梯子状。

5.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

在所述第二半导体层设置着多个所述第一控制电极；

多个所述第二控制电极将相邻的所述第一控制电极之间连成梯子状；

在与所述第一控制电极的延伸方向正交的方向上，将所述第二控制电极交替地移位而配置。

6.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一控制电极在所述第一柱上沿着该第一柱的延伸方向设置。

7.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于：

所述第二控制电极设置成与多个所述第一柱及多个所述第二柱交叉的条纹状。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

在由所述第二控制电极覆盖的所述第二半导体层中包含所述第二柱的一部分。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一柱及所述第二柱设置成在沿着所述第一半导体层的所述主面的方向上延伸的条纹状；

所述第一控制电极设置成与所述第一柱及所述第二柱交叉的条纹状；

所述第二控制电极在所述第一柱及所述第二柱的延伸方向上设置成条纹状。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于：

所述第二控制电极将设置在所述第二半导体层的多个所述第一控制电极中的相邻的所述第一控制电极连成梯子状。

11.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于：

所述第二控制电极设置在所述第二柱上。

12.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

多个所述第一柱及多个所述第二柱设置成在沿着所述第一半导体层的所述主面的方向上延伸的条纹状；

所述第一控制电极设置成在所述第一柱与所述第二柱的边界上延伸的条纹状；

所述第二控制电极在所述第一柱上将相邻的所述第一控制电极相连而设置。

13.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于：

将所述第一控制电极相连的多个所述第二控制电极被设为梯子状。