[发明专利]集成封装LED灯泡

说明书

技术领域

 本发明涉及一种灯具，具体是一种集成封装LED灯泡。

 

背景技术

 LED（Light Emitting Diode）芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能，是L灯的核心组件，也就是指的P-N结，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。通常普通LED芯片都具有最大功耗值，当超出此功耗值后，LED芯片会发热损坏。目前市场上，许多生产厂家开发各种LED封装技术，尤其是多片集成，即在一个LED中封装多个LED芯片以获得较高的功率，同时为了避免LED芯片功耗过大，发热损坏，就需要对LED芯片封装及灯具的散热性能进行改善，以提高LED灯具的发光效率，提高芯片的可靠性和降低光衰减。

 

发明内容

本发明的技术目的是提供一种结构简单、输出功率高的包括多个LED芯片的集成封装LED灯泡。

本发明的技术方案是一种集成封装LED灯泡，包括设有LED芯片的铝基板，其特征在于：

所述铝基板上设有多个串联的LED芯片；

所述铝基板上设有覆铜层，铝基板的中部的集成封装区通过化金设有一层镍金镀层，所述LED芯片通过银胶固化在集成封装区相应位置上，所述集成封装区通过点荧光粉设有荧光粉胶层；

灯体外部设有散热器。

作为优选，所述LED芯片为1W。

所述LED芯片设为3个。

作为优选，所述LED芯片规格为45mil×45mil。

作为优选，所述铝基板的厚度为1.0mm，其覆铜层厚度大于或等于70μm。

作为优选，所述铝基板为导热系数大于或等于2.0的铝基板。

所述化金区为直径10mm的圆形。

所述铝基板规格为20mm×20mm。

灯体内部还设有半球形的扩光罩。

本发明的集成封装LED灯泡制造过程为：

1）、固定：将LED芯片使用银胶粘贴固定在铝基板特定位置上；

2）、焊线：采用1.2mil金线，双条焊接，使LED芯片形成回路；

3）、点荧光粉：在芯片上设置一层含有荧光粉的胶层，改善其出光效果；

4）、组装灯体，包括扩光罩、灯杯、散热器、电源等器件。

本发明的有益效果是：

结构简单、产品制造耗材少，灯体及芯片散热性能好，充分发挥单片LED芯片的潜能，提高灯泡的输出功率，发光效果好,3个LED芯片可以工作在3-7W.

附图说明

图1是LED芯片的结构示意图。

图2是灯体外部的结构示意图。

 

具体实施方式

为了阐明本发明的技术方案及技术目的，下面结合附图及具体实施方式对本发明做进一步的介绍。

如图所示，一种集成封装LED灯泡，包括规格为20mm×20mm的铝基板11，所述铝基板1上设有三个串联的1WLED芯片2，所述LED芯片2规格为45mil×45mil；铝基板1上设有覆铜层，所述铝基板1的厚度为1.0mm，其覆铜层厚度大于或等于70μm，铝基板1的导热系数至少2.0。铝基板1的中部设有一直径为10mm的圆形集成封装区3，所述LED芯片2通过银胶固化在集成封装区3相应位置上。

所述集成封装区3通过化金设有一层镍金镀层，并点荧光粉。

灯体外部设有散热器4。

灯体内部还设有半球形的扩光罩。

根据外加散热器4面积大小，调整不同工作电流，可做到3-7WLED点光源输出功率的效果，亮度可达300-600流明。

散热面估算：每个LED芯片在铝基板1上有120平方毫米左右的覆铜面积和铝基板1接触，散热良好。

按照常规每个规格标定为1W芯片在实际工作中能发挥到1W到3W的功率，

但普通LED灯具的封装结构因为散热性等因素，芯片在超功率工作的情况下易发生损害，而本发明的集成封装结构可保障每个1W芯片在1-2.5W的功率区间内工作时，芯片不会发生损坏，延长了芯片的使用的寿命，提高芯片的工作效率，3个芯片最大可工作功率可达到7W左右，即有600流明光通量的输出。